二极管结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种二极管结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离鳍区域与鳍阵列区域，在所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域上分别形成有多个第一鳍和第二鳍；第一浅沟槽，隔离所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域；多个相间隔排列的第一接触件和第一虚拟件，位于多个所述第一鳍的上方；多个相间隔排列的第二接触件和第二虚拟件，位于多个所述第二鳍的上方；多个第二浅沟槽，位于所述第一虚拟件底部的半导体衬底内；第一虚拟件与第二虚拟件的设置，能够提高后续化学机械平坦化步骤中介质层的均一性，并且隔离层填充满所述第二浅沟槽，用于减少栅极侧壁的寄生电容，从而提高半导体器件的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路(IC)器件，特别涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件中的二极管结构。
技术介绍
在迅速发展的半导体制造产业中，互补金属氧化物半导体(CMOS)FinFET器件用于许多逻辑和其他应用中，并且集成到各种不同类型的半导体器件中。FinFET器件包括其中形成晶体管的沟道和源极/漏极区域的半导体鳍，在半导体鳍的一部分上方以及沿着半导体鳍的该部分的侧面形成栅极。与具有相同的器件区域的平面型晶体管相比，FinFET中的沟道和源极/漏极区域的表面积增大促使形成更快速、更可靠以及更好控制的半导体晶体管器件。包括CMOSFinFET的IC器件还需要其他半导体结构和晶体管，诸如二极管和双极结型晶体管(BJT)。采用相同的材料和工艺，沿着FinFET的侧面以及与FinFET同时形成这些其他半导体结构和晶体管。然而，现有的CMOSFinFET器件地电学性能欠佳，因此，需要继续寻求采用新型的二极管结构以提高CMOSFinFET器件的电学性能。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种二极管结构，用于提高CMOSFinFET器件的电学性能。为解决上述技术问题，本技术提供一种二极管结构，包括：半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离鳍区域与鳍阵列区域，在所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域上分别设置有多个第一鳍和第二鳍；第一浅沟槽，隔离所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域；多个相间隔排列的第一接触件和第一虚拟件，位于多个所述第一鳍的上方；多个相间隔排列的第二接触件和第二虚拟件，位于多个所述第二鳍的上方；多个第二浅沟槽，位于所述第一虚拟件底部的半导体衬底内，且所述第二浅沟槽位于相邻的所述第一鳍之间。

【技术特征摘要】
1.一种二极管结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离鳍区域与鳍阵列区域，在所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域上分别设置有多个第一鳍和第二鳍；第一浅沟槽，隔离所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域；多个相间隔排列的第一接触件和第一虚拟件，位于多个所述第一鳍的上方；多个相间隔排列的第二接触件和第二虚拟件，位于多个所述第二鳍的上方；多个第二浅沟槽，位于所述第一虚拟件底部的半导体衬底内，且所述第二浅沟槽位于相邻的所述第一鳍之间。2.如权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，所述第一浅沟槽与第二浅沟槽内均填充有隔离层，且所述隔离层填满所述第二浅沟槽。3.如权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，所述鳍阵列区域包围所述隔离鳍区域。4.如权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，所述第一鳍与第二鳍均呈长方体，且所述第一鳍与第二鳍彼此平行。5.如权利要求4所述的二极管结构，其特征在于，所述第一接触件与第二接触件均呈长方体，且所述第一接触件与第二接触件彼此平行。6.如权利要求5所述的二极管结构，其特征在于，所述第一接触件以及第二接触件长边所在的方向与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12