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本实用新型提供了一种二极管结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离鳍区域与鳍阵列区域，在所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域上分别形成有多个第一鳍和第二鳍；第一浅沟槽，隔离所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域；多个相间隔排列的第一接触件和第一虚拟件...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。