GOI测试结构制造技术

一种GOI测试结构，包括：基底，基底包括有源区；栅极结构，位于有源区的基底上且覆盖其所在的有源区的部分区域，栅极结构包括栅介质层、以及覆盖栅介质层的栅极，栅极结构用于作为第一测试端，在栅极结构所在的有源区中，被栅极结构暴露的基底中具有拾取端，且拾取端用于作为第二测试端。本发明专利技术的栅极结构仅覆盖一部分有源区的基底，即栅极结构露出除其覆盖的有源区之外的剩余基底，因此能够在栅极结构的顶部、以及栅极结构露出的有源区的基底上加载对应的测试信号，对栅介质层的完整性进行测试。由于栅极结构和拾取端位于同一有源区，使得测试电流能够在同一有源区的基底中流动，而不受浅槽隔离结构的影响，从而提高了测试结果的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种goi测试结构。

技术介绍

1、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速成长，小型化成为了半导体
的发展趋势，单位面积的晶圆上需要集成的器件越来越多，为了满足上述需求，半导体结构也随之发生了改变。

2、栅氧化层的完整性(gate oxide integrity，goi)测试是半导体测试中的一项非常重要的测试项目，它可以用来预测半导体器件的使用寿命，对于集成电路性能的提高有着至关重要的作用。

3、但是，随着半导体结构的变化，使得现有技术中的goi测试结构的可靠性仍有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种goi测试结构，以提高goi测试结构的可靠性。

2、为解决上述问题，本专利技术实施提供一种goi测试结构，包括：基底，所述基底包括有源区；栅极结构，位于所述有源区的基底上且覆盖其所在的有源区的部分区域，所述栅极结构包括栅介质层、以及覆盖栅介质层的栅极，所述栅极结构用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GOI测试结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的GOI测试结构，其特征在于，所述GOI测试结构还包括：插塞，所述插塞包括位于所述栅极结构上的第一插塞、以及位于所述拾取端上的第二插塞，且所述第一插塞和第二插塞的数量均为多个。

3.如权利要求2所述的GOI测试结构，其特征在于，所述GOI测试结构还包括：互连层，位于所述插塞的顶部，所述互连层包括与所述第一插塞电连接的第一互连层、以及与所述第二插塞电连接的第二互连层，多个所述第一插塞电连接同一所述第一互连层，多个所述第二插塞电连接同一所述第二互连层。

4.如权利要求3所述的GOI测试结构，其...

【技术特征摘要】

1.一种goi测试结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的goi测试结构，其特征在于，所述goi测试结构还包括：插塞，所述插塞包括位于所述栅极结构上的第一插塞、以及位于所述拾取端上的第二插塞，且所述第一插塞和第二插塞的数量均为多个。

3.如权利要求2所述的goi测试结构，其特征在于，所述goi测试结构还包括：互连层，位于所述插塞的顶部，所述互连层包括与所述第一插塞电连接的第一互连层、以及与所述第二插塞电连接的第二互连层，多个所述第一插塞电连接同一所述第一互连层，多个所述第二插塞电连接同一所述第二互连层。

4.如权利要求3所述的goi测试结构，其特征在于，所述第一互连层和第二互连层位于同层且相互分立。

5.如权利要求1所述的goi测试结构，其特征在于，所述栅极结构包括沿第一方向延伸的第一栅极结构、以及沿第二方向延伸且与所述第一栅极结构相连的第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述第一栅极结构的一侧，所述第一方向和第二方向不同；

6.如权利要求5所述的goi测试结构，其特征在于，在所述拾...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛刚，赵晓东，于涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，
类型：发明
国别省市：