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一种GOI测试结构，包括：基底，基底包括有源区；栅极结构，位于有源区的基底上且覆盖其所在的有源区的部分区域，栅极结构包括栅介质层、以及覆盖栅介质层的栅极，栅极结构用于作为第一测试端，在栅极结构所在的有源区中，被栅极结构暴露的基底中具有拾取端...
该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司授权不得商用。

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