本技术公开了一种芯片导正装置，涉及芯片生产加工技术领域，具体为一种芯片导正装置，包括基板，基板的内部分别开设有移动腔、被动腔、旋转腔和设备腔，被动腔的内部设有固定连接的被动组件，基板前端的一侧设有固定连接的第一单向螺纹电机，第一单向螺纹...

本实用新型公开了一种

本实用新型实施例提供一种用于功率模块的液冷散热器，包括以正面与功率模块的发热面贴合固定以吸收功率模块工作时产生的热量的散热主体，散热主体内部设有用于接纳冷却液以使所述冷却液与散热主体进行热交换的热交换腔，散热主体上还开设有分别供冷却液流...

本发明公开了一种IGBT布线用绑线装置及其使用方法，属于IGBT布线技术领域，绑线装置包括工作台，所述工作台上滑动设有用于固定待绑定模块的固定件，工作台上还固定有用于待绑定模块上料的上料件。本发明绑线装置通过将待绑定的芯片和DBC放置在...

本发明公开了一种IGBT模块焊接用模具及其使用方法，模具包括操作台，操作台的上方固定有加热板，模具还包括用于固定铜底板的第一固定件，操作台的一侧固定有上料件，模具还包括用于固定DBC板的第二固定件。本发明模具上的第一固定件能够固定任意型...

本实用新型实施例提供一种功率模块，包括PCB板、组装于所述PCB板上的功率芯片、用于检测所述功率芯片工作时的实际工作温度并将所述实际工作温度传输给对应外接的外部温度分析装置的温度检测元件以及由导热不导电材料制成且包裹于所述温度检测元件外...

本实用新型实施例提供一种用于功率模块的电路外接结构，包括相互对接固定的第一电极片和第二电极片，所述第一电极片和第二电极片两者中的一个用于与外部电路相连而另一个用于与功率模块的内部电路相连，所述第一电极片的对接端设有在对接端一个侧面形成插...

本实用新型实施例提供一种用于大电流驱动的三相全桥功率模块及其电源驱动电路，所述电路包括：包括变压器，变压器包括一个初级绕组和一个第一次级绕组，第一次级绕组连接有三条第一驱动支路，第一驱动支路包括两端分别连接第一次级绕组的同名端和下桥臂中...

本实用新型实施例提供一种继电器触点状态检测电路，包括：电压变换模块，包括具有初级绕组、次级绕组和辅助绕组的变压器以及电源管理单元；检测模块，包括光电耦合器、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，其中，光电耦合器内的二极管的正极通过第...

本实用新型实施例提供一种预成型连接孔及功率模块，预成型于两个待连接的基体中的至少一个上，用于与自攻螺丝配合连接所述两个基体，所述预成型连接孔包括自一端孔口向内延伸预定深度且孔径与所述自攻螺丝的杆身外径相适配从而定向引导所述自攻螺丝的引导...

本实用新型实施例提供一种功率模块，包括两块层叠压接的双面覆铜板，每一块所述双面覆铜板的朝向另一块双面覆铜板的一侧表面上均设置有至少一个功率元件，所述功率元件的外表面通过电极压块与另一块所述双面覆铜板的覆铜层抵接；所述电极压块用于与另一块...

本实用新型实施例提供一种功率模块，包括两块层叠压接的双面覆铜板，每一块所述双面覆铜板的朝向另一块双面覆铜板的一侧表面上均设置有至少一个功率元件，所述功率元件的外表面通过电极压块与另一块所述双面覆铜板的覆铜层抵接，所述电极压块朝向所述功率...

本实用新型实施例提供一种功率模块，包括两块层叠压接的双面覆铜板，每一块所述双面覆铜板的朝向另一块双面覆铜板的一侧表面上均设置有至少一个功率元件，所述功率元件的外表面通过具有预定塑性变形能力的电极压块与另一块所述双面覆铜板的覆铜层抵接，两...

本实用新型实施例提供一种功率半导体器件液冷装置，包括供冷却液定向流动的流道以及一侧与功率半导体器件的发热元件贴合且另一侧插入流道内以与流道内的冷却液进行热交换的散热器，所述流道包括与散热器对应扣合形成密封腔的主槽以及形成于主槽的槽端壁上...

本实用新型实施例提供一种功率半导体模块，包括外壳、组装于所述外壳内部的功率器件以及由金属材料制成并安置于所述外壳底部的散热底板，所述外壳的一侧设置有若干个安装槽，所述功率器件与所述散热底板相贴合，所述安装槽内还组装有内端与所述功率器件电...

本实用新型实施例提供一种功率半导体器件及其外壳，所述外壳包括壳主体以及自壳主体一侧凹陷形成且用于对应容纳与外部电极对接的接线端子和螺母的安装槽，所述安装槽相对两侧壁对应于螺母安置位置处分别成型有向安装槽内部凸出的卡条，两卡条之间的相对距...

本实用新型实施例提供一种功率半导体器件，包括一侧开口的外壳、组装于所述外壳内部的基板、组装于所述基板一侧表面的半导体芯片以及遮盖所述外壳的开口的散热底板，所述基板背离所述半导体芯片的一侧表面贴合于所述散热底板上，所述散热底板由铜材料制成...

一种散热装置，包括散热板、进水外接端口、出水外接端口、一主流进水管道及一主流出水管道，所述进水外接端口及出水外接端口分别与主流进水管道及主流出水管道的一端相连通，其特征在于：所述主流进水管道及主流出水管道的另一端均密封，所述散热装置还包...

一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层...

一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层...