本发明提供一种连接结构。所述连接结构包括一外壳、一底板及一电子元件，所述外壳包括一顶板及四个侧板，其中至少两侧板上远离顶板的侧边上各设置有至少一凸块，所述凸块与对应的侧边不相垂直，所述底板的至少两侧边上各设置有一缺口，将所述外壳设置于底...

一种功率模块，包括两电极、外壳、陶瓷基板及铜基板，所述陶瓷基板与铜基板焊接在一起，所述外壳设置于铜基板之上；所述两电极的第一端焊接至陶瓷基板之上，每一电极的第二端穿过所述外壳且延伸出外壳，所述电极延伸出外壳的部分被横向弯折，且电极上被横...

一种连接结构，包括一外壳及一底板，所述外壳包括一顶板及四个侧板，其中至少两侧板上远离顶板的侧边上均设置有第一及第二凸块，所述底板的至少两侧边上均对应设置有第一及第二缺口，将所述外壳设置于底板上时，施力于侧板的第一及第二凸块上时，第一及第...

一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层...

一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层...

本实用新型提供了一种IGBT模块，包括N片直接覆铜陶瓷基板（DBC）、N个IGBT单元、散热底板、外壳、盖板及水冷散热器，每一IGBT单元包括M颗IGBT芯片及X颗二极管芯片，且M颗IGBT芯片与每一二极管芯片均通过芯片连接导线进行反并...

一种散热装置，包括散热板、进水外接端口、出水外接端口、一主流进水管道及一主流出水管道，所述进水外接端口及出水外接端口分别与主流进水管道及主流出水管道的一端相连通，其特征在于：所述主流进水管道及主流出水管道的另一端均密封，所述散热装置还包...

本实用新型提供一种连接结构。所述连接结构包括一外壳、一底板及一电子元件，所述外壳包括一顶板及四个侧板，其中至少两侧板上远离顶板的侧边上各设置有至少一凸块，所述凸块与对应的侧边不相垂直，所述底板的至少两侧边上各设置有一缺口，将所述外壳设置...

本实用新型提供一种功率模块，包括一外壳、一底板、一电子元件及一散热器，所述外壳设置于底板之上以形成一容置空间，所述电子元件设置于容置空间内，所述散热器与底板的下表面相接触，所述外壳的内壁的第一位置处向下延伸以形成一第一顶柱，且当所述外壳...

本实用新型提供一种功率模块超声波检测装置，所述的功率模块包括基板和半导体芯片，所述的基板具有用以承载半导体芯片的承载面以及与所述承载面相对的第一底面；所述的检测装置包括：具有超声波扫描探头的超声波扫描装置、以及用以容纳超声波扫描液体介质...