氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，氧化物薄膜晶体管设有固定设置于氧化物半导体层的裸露面表面的表面自主装单分子层。表面自主装单分子层是通有机溶剂、无机溶剂处理、烷烃硫醇、烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面获得的。其制备方法包括通过旋涂、滴涂或浸泡的方法在氧化物半导体层的裸露面表面制备表面自主装单分子层，可采用有机溶剂、无机溶剂处理、烷烃硫醇、烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面获得。本发明专利技术的氧化物薄膜晶体管具有稳定性好，制备方法具有工艺简单、成本低廉的特点。

【技术实现步骤摘要】
氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管（TFT，ThinFilmTransistor）主要应用于控制和驱动液晶显示器（LCD，LiquidCrystalDisplay）、有机发光二极管（OLED，OrganicLight-EmittingDiode）显示器的子像素，是平板显示领域中最重要的电子器件之一。在平板显示方面，目前主要使用氢化非晶硅（a-Si:H）或多晶硅等材料的薄膜晶体管，然而氢化非晶硅材料的局限性主要表现在对光敏感、电子迁移率低（<1cm2/Vs）以及电学参数稳定性差等方面，而多晶硅薄膜的局限性主要体现在电学性质均匀性差、制备温度高以及成本高等方面。基于氧化物的薄膜晶体管电子迁移率高（1～100cm2/Vs）、制备温度低（<400℃，远低于玻璃的熔点）、成本低（只需要普通的溅射工艺即可完成）以及持续工作稳定性好的特点，基于金属氧化物的薄膜晶体管在平板显示领域尤其是有机发光显示（OLED）领域有替代传统的硅材料工艺薄膜晶体管的趋势，受到学术界和业界的关注和广泛研究。然而，由于氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于：设置有表面自主装单分子层，所述表面自主装单分子层固定设置于氧化物半导体层的裸露面表面。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于：设置有表面自主装单分子层，通过旋涂、滴涂或浸泡的方法在氧化物半导体层的裸露面表面制备表面自主装单分子层使得所述表面自主装单分子层固定于氧化物半导体层的裸露面表面；所述表面自主装单分子层是通有机溶剂处理所述氧化物半导体层的表面获得的；所述有机溶剂为甲醇、甲苯、二甲苯、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、六甲基磷酰三胺、氧化吡啶或酮类中的任意一种；或者所述表面自主装单分子层是通过烷烃硫醇处理所述氧化物半导体层的表面获得的；或者所述表面自主装单分子层通过烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰林锋，彭俊彪，肖鹏，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：