【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜场效应晶体管，包括栅极金属层及半导体层，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管还包括：导流层，所述栅极金属层与所述半导体层之间形成电场时，所述导流层与所述栅极金属层之间形成电场，利用所述导流层与所述栅极金属层之间的电场，所述半导体层累积加强所述栅极金属层与所述半导体层之间电场的电子或空穴。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴博，祁小敬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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