薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术关于一种薄膜晶体管及其制造方法。此种薄膜晶体管包含：栅极；源极及漏极，在一上及下方向上与栅极相间隔且在一水平方向上彼此相间隔；一栅介质，形成于栅极与源极之间以及栅极与漏极之间；以及活性层，形成于栅介质与源极之间以及栅介质与漏极之间，其中活性层由掺杂有一元素的至少两个氧化锌薄膜层形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宰湖，吴东建，崔道铉，文珍旭，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：
国别省市：