【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在基板上执行诸如沉积工序和蚀刻工序的处理工序的基板处理设备。
技术介绍
1、通常，为了制造太阳能电池、半导体器件、平板显示装置等，薄膜层、薄膜电路图案或光学图案应该形成在基板上。为此，在基板上执行处理工序，并且处理工序的示例包括在基板上沉积包含特定材料的薄膜的沉积工序、通过使用光敏材料选择性曝光薄膜的一部分的光处理工序、去除薄膜的选择性曝光部分以形成图案的蚀刻工序等。这样的处理工序由基板处理设备在基板上执行。
2、现有技术的基板处理设备包括支撑基板的基板支撑单元和朝向基板支撑单元进行喷射的气体喷射单元。气体喷射单元包括用于喷射气体的多个开口。气体通过开口并朝向基板支撑单元的不同部分喷射。
3、这里，实现现有技术的基板处理设备，使得第一气体和第二气体通过各个开口并朝向基板支撑单元喷射。也就是说，第一气体和第二气体在各个开口中混合。因此，现有技术的基板处理设备存在颗粒产生像因为第一气体和第二气体反应而沉积在气体喷射单元上的问题。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术旨在解决上述问题并用于提供一种可以使在将第一气体和第二气体喷射到基板支撑单元上的工序中产生的颗粒量减少的基板处理设备。
3、技术方案
4、为了实现上述目的，本专利技术可以包括以下元件。
5、根据本专利技术的基板处理设备可以包括：腔室；基板支撑单元，在腔室中支撑至少一个基板；底板，设置在基板支撑单元上方；以及顶板，设置在底板上方。顶
6、有益效果
7、根据本专利技术，可以实现以下效果。
8、实施本专利技术，使得第一气体流过第一喷射孔和第一开口以及第二气体流过第二喷射孔和第二开口。因此，本专利技术可以在第一气体和第二气体被喷射到基板支撑单元之前减少第一气体和第二气体的混合量，从而可以使在第一气体和第二气体被喷射到基板支撑单元之前第一气体和第二气体反应时产生的颗粒减少。因此，本专利技术可以提高完成处理工序的基板的质量，此外，可以增加为去除颗粒而应该执行的清理操作的周期，从而有助于降低工艺成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，所述顶板和所述底板彼此分开的间隔小于所述第一开口的直径和所述第二开口的直径中的每一个。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中
7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，
8.根据权利要求6或7所述的基板处理设备，其中，
9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中，沿着所述奇数编号的第三虚拟线布置的所述第一开口和沿着所述偶数编号的第三虚拟线布置的所述第二开口被布置为相对于所述第三轴方向交错。
10.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中，
11.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
12.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，所述顶板和所述底板彼此分开的间隔小于所述第一开口的直径和所述第二开口的直径中的每一个。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中
7.根据权利要求6所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金俊永，车相允，李智勋，张大洙，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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