半导体装置制造方法及图纸

技术编号：9159955 阅读：122 留言：0更新日期：2013-09-14 12:12

本发明专利技术的半导体装置(100A)包括：具有第一接触区域(4a)和第二接触区域(4b)以及位于第一接触区域(4a)与第二接触区域(4b)之间的沟道区域(4c)的氧化物半导体层(4)；在氧化物半导体层(4)上以与第一接触区域(4a)接触的方式形成的源极电极(5)；和在氧化物半导体层(4)上以与第二接触区域(4b)接触的方式形成的漏极电极(6)。氧化物半导体层(4)的所有侧面位于栅极电极(2)上，源极电极(5)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度，漏极电极(6)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度。