半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年9月24日提交的第62/232,188号美国专利申请、2015年11月9日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0156857号韩国专利申请、2016年2月2日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0012955号韩国专利申请、2016年1月22日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0008273号韩国专利申请、2016年3月9日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0028318号韩国专利申请、2016年1月22日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0008279号韩国专利申请以及2016年3月9日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0028204号韩国专利申请的优先权和通过上述专利申请产生的所有权益，所述申请的内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
作为增大半导体装置的密度的缩放技术(scalingtechnology)中的一种，多栅晶体管已经被提出，其中，硅主体以鳍或纳米线形状形成在基底上，随后栅极形成在硅主体的表面上。由于多栅晶体管使用三维沟道，因此其允许容易的缩放。另外，在不需要增大多栅晶体管的栅极长度的情况下，可以增强电流控制能力。此外，可有效地抑制短沟道效应(SCE)，短沟道效应是沟道区的电势受到漏极电压影响的现象。
技术实现思路
本公开的目的是将提供一种具有改善的操作特性的半导体装置。本公开的另一个目的是将提供一种用于制造具有改善的操作特性的半导体装置的方法。意图由本公开论述的目的不限于上面提及的那些，本领域技术人员可以基于以下提供的描述清楚地理解以上没有提到的其它目的。根据本专利技术构思的方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出，并在第三方向上延伸；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上，第三源极/漏极在与第三方向相交的第四方向上的剖面是第三凸起多边形的形状；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。根据本专利技术构思的另一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，在第一区中从基底突出，并在第一方向上延伸；第三鳍型图案和第四鳍型图案，在第二区中从基底突出，并在第二方向上延伸；第一栅电极，在第一和第二鳍型图案上，在与第一方向相交的第三方向上延伸；第二栅电极，在第三和第四鳍型图案上，在与第二方向相交的第四方向上延伸；第三栅电极，位于第一和第二鳍型图案上，在第三方向上延伸，并在第一方向上与第一栅电极分隔开；第四栅电极，位于第三和第四鳍型图案上，在第四方向上延伸，并与第二栅电极在第三方向上分隔开；第一源极/漏极，形成在第一栅电极的两侧上，并彼此分隔开第一距离；第二源极/漏极，形成在第二栅电极的两侧上，并彼此分隔开与第一距离不同的第二距离；第三源极/漏极，形成在第三栅电极的两侧上，并彼此分隔开与第一距离；以及第四源极/漏极，形成在第四栅电极的两侧上，并彼此分隔开第二距离，其中，第一源极/漏极和第三源极/漏极在第一方向上的剖面具有规则的形状，第二和第四源极/漏极在第二方向上的剖面具有不规则的形状。根据本专利技术构思的又一个方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，远离基底突出，并包括在相对的方向上的第一短边和第二短边；第一栅电极，位于第一鳍型图案上，与第一鳍型图案相交，并包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一凹部，形成在第一栅电极的第一侧表面，并邻近第一短边形成；第二凹部，形成在第一栅电极的第二侧表面，邻近第二短边形成，并具有与第一凹部的形状不同的形状；第一源极/漏极，填充第一凹部；以及第二源极/漏极，填充第二凹部，其中，第一鳍型图案以及第一源极/漏极和第二源极/漏极的上表面都具有彼此相同的高度或者彼此不同的高度。附图说明通过参照附图对本公开的示例性实施例进行详细地描述，对本领域普通技术人员而言，本公开的以上和其它的目的、特征和优点将变得更加明显，在附图中：图1是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的布局图；图2是沿图1的线A-A'截取的剖视图；图3是沿图1的线B-B'截取的剖视图；图4是沿图1的线C-C'截取的剖视图；图5是图4中的第二鳍型图案和第二外延图案的放大图；图6是图4中的第六鳍型图案和第六外延图案的放大图；图7是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图8是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图9是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图10是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图11是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图12是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图13是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的布局图；图14示出沿图13的线C-C'和D-D'截取的剖视图；图15是为了详细解释图14的包围的区域J1而提供的放大的剖视图；图16是为了详细解释图14的包围的区域J2而提供的放大的剖视图；图17是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图18是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图19是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图20是为了详细解释图19的包围的区域J3而提供的放大的剖视图；图21是为了详细解释图19的包围的区域J4而提供的放大的剖视图；图22是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图23是图22的包围的区域J5的放大的剖视图；图24是图22的包围的区域J6的放大的剖视图；图25是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的放大的剖视图；图26是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图27是为了解释图26的第二区中的硅化物部分而提供的放大的剖视图；图28是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图29是为了解释图28的第二区中的硅化物部分而提供的放大的剖视图；图30是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图31是为了详细解释图30的包围的区域J11而提供的放大的剖视图；图32是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图33是为了详细解释图32的包围的区域J12而提供的放大的剖视图；图34是用于比较图30至图32的剖视图；图35是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图36是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图37是根据一些示例性实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；图38至图44是示出制造的步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出，并在第三方向上延伸；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上，第三源极/漏极在与第三方向相交的第四方向上的剖面是第三凸起多边形的形状；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。

【技术特征摘要】
2015.11.09 KR 10-2015-0156857;2016.01.22 KR 10-2011.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出，并在第三方向上延伸；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上，第三源极/漏极在与第三方向相交的第四方向上的剖面是第三凸起多边形的形状；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一凸起多边形的形状和第二凸起多边形的形状是五边形的。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一凸起多边形的形状和第二凸起多边形的形状是两侧对称的。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第三凸起多边形的形状的内角的大小与第四凸起多边形的形状的内角的大小不同。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一源极/漏极和第二源极/漏极的下表面比第三源极/漏极和第四源极/漏极的下表面低。6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第一栅电极，位于第一鳍型图案上，在第二方向上延伸，其中，第一源极/漏极分别形成在第一栅电极的两侧上；以及第二栅电极，位于第三鳍型图案上，在第四方向上延伸，其中，第三源极/漏极分别形成在第二栅电极的两侧上，其中，第一源极/漏极之间的距离比第三源极/漏极之间的距离小。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第一源极/漏极在深度方向上具有在第一方向上逐渐减小的宽度，其中，第三源极/漏极在深度方向上具有在第三方向上逐渐减小的宽度，其中，第一源极/漏极的在第一方向上逐渐减小的宽度和第一源极/漏极的深度的比值与第三源极/漏极的在第三方向上逐渐减小的宽度和第三源极/漏极的深度的比值不同。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一源极/漏极的逐渐减小的宽度和第一源极/漏极的深度的比值比第三源极/漏极的逐渐减小的宽度和第三源极/漏极的深度的比值小。9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第一凹部至第四凹部，分别形成在第一鳍型图案至第四鳍型图案上，其中，第一源极/漏极至第四源极/漏极分别形成在第一凹部至第四凹部上，其中，第三凹部和第四凹部分别包括在第一方向上的剖面中向下凸起的第一浅凹和第二浅凹。10.根据权利要求9所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第一浅凹和第二浅凹之间向上凸起的凸起部。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一源极/漏极和第二源极/漏极包括SiGe，以及第三源极/漏极和第四源极/漏极包括Si:P。12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，在第一区中从基底突出，并在第一方向上延伸；第三鳍型图案和第四鳍型图案，在第二区中从...

【专利技术属性】
技术研发人员：金奇奂，刘庭均，朴起宽，申东石，金辰昱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR