【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极、以及漏极；其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述源极和所述漏极分别设置在所述有源层两侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张文余，田宗民，李婧，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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