【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，至少包括在衬底上形成的栅极电极、与所述栅极电极接触的栅极绝缘层和设置于所述栅极绝缘层另一侧的氧化物半导体层，其特征在于，所述栅极绝缘层的氢浓度呈现浓度梯度分布，靠近栅极电极的部份氢浓度较高，而靠近氧化物半导体层的部份氢浓度较低。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江政隆，陈柏林，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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