薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示设备和一种包括该薄膜晶体管的有机发光显示设备。薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接到活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备本申请要求于2012年3月15日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0026602号韩国专利申请的权益，上述申请的公开通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种薄膜晶体管（TFT）、一种包括该TFT的显示设备以及一种包括该TFT的有机发光显示设备。
技术介绍
TFT被用作液晶显示设备或有机发光显示设备的驱动器件或开关器件。TFT的特性受沟道层的材料和状态的影响。因为非晶硅具有低的迁移率，所以具有高的迁移率且在低温下进行处理的氧化物半导体已经越来越多地被用作TFT的沟道层。
技术实现思路
实施例针对一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接至活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开。栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开相同的间隔。栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以设置在活性层的沿第一方向延伸的相对侧边内。栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个可以沿第二方向连接至布线，该布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。栅电极的第一长度可以比栅电极的第一宽度长。源电极和漏电极可以沿第一方向延伸并彼此面对。活性层可以包括氧化物半导体。活性层可以包括氧以及从镓、铟、锌、铪和锡中选择的至少一种元素。源电极和漏电极可以通过相应的接触孔连接至活性层。活性层可以包括离子杂质掺杂在其中的区域。源电极和漏电极可以通过接触孔连接至该区域。源电极和漏电极可以通过相应的欧姆接触层连接至活性层。栅电极可以设置在活性层下方。栅电极可以设置在活性层上方。实施例还针对一种显示设备，所述显示设备包括薄膜晶体管和由薄膜晶体管驱动的显示设备，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接至活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。实施例还针对一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、活性层以及连接至活性层的源电极和漏电极，栅电极具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度，活性层具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开；像素电极，连接至薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个；对向电极，面对像素电极；以及有机发光层，设置在像素电极和对向电极之间。附图说明通过参照附图详细地描述示例性实施例，对于本领域技术人员来说，特征将变得清楚，其中：图1示出了根据实施例的TFT，图1中的（a）示出了根据实施例的TFT的剖视图，图1中的（b）示出了根据实施例的TFT的平面图；图2示出了根据图1的实施例的TFT的栅极电压（Vg）-漏电流（Id）关系的曲线图；图3示出根据对比示例的TFT的平面图；图4示出根据图3的对比示例的TFT的Vg-Id关系的曲线图；图5示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；图6示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；图7示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；图8示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；以及图9示出根据实施例的包括图1的TFT的有机发光显示设备7的剖视图。具体实施方式现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来实施，且不应该解释为局限于在这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并且这些实施例将把本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个（种）”的表述在一系列元件（要素）之后时，修饰整个系列的元件（要素），而不是修饰系列中的个别元件（要素）。图1示出了根据实施例的TFT1。图1中的(a)示出TFT1的剖视图，图1中的(b)是TFT1的平面图。参照图1，TFT1具有底栅结构，其中，栅电极110、活性层130以及源电极150a和漏电极150b顺序地形成在基板100上。可以由包括作为主要成分的SiO2的透明玻璃材料形成基板100。在其它实施方式中，基板100可以由不透明材料形成，并且可以是诸如塑料材料的其它材料。可以将包括SiO2和/或SiNx的缓冲层（未示出）形成在基板100上。缓冲层可以使基板100光滑并且可以防止杂质渗入到基板100中。栅电极110具有在第一方向X上测量的第一长度Lg和在第二方向Y上测量的第一宽度Wg。通过具有在第一方向X上测量的第一长度Lg的相对的侧边和具有在第二方向Y上测量的第一宽度Wg的相对的侧边限定栅电极110。栅电极110的在第一方向X上测量的第一长度Lg可以比在第二方向Y上测量的第一宽度Wg大。栅电极110的沿第一方向X延伸的相对的侧边中的一个连接至用来向栅电极110施加扫描信号的布线111。根据本实施例，布线111在第一方向上具有比栅电极110的第一长度Lg小的第一宽度W1。布线111在栅电极110上沿第二方向Y延伸。在图1中的(b)中，栅电极110和布线111被示出为连接成具有“T”形，但是在其它实施方式中，其它形状是可能的。可以由选自于银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、MoW和Al/Cu中的至少一种导电材料形成栅电极110和在栅电极110上延伸的布线111。第一绝缘层120可以设置在栅电极110上，以覆盖栅电极110。第一绝缘层120可以用作栅极绝缘层。第一绝缘层120可以是由选自于SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZrO2中的至少一种形成的无机绝缘层。包括氧化物半导体的活性层130设置在第一绝缘层120上。氧化物半导体可以包括选自于镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中的至少一种。例如，可以由选自于InGaZnO、ZnSnO、InZnO、InGaO、ZnO、TiO和铪-铟-锌氧化物(HIZO)中的材料形成活性层130。根据本实施例，活性层130具有在第一方向X上测量的第二长度La和在第二方向Y上测量的第二宽度Wa。活性层130的在第一方向X上测量的第二长度La可以比在第二方向Y上测量的第二宽度Wa大。第二绝缘层140可以设置在活性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及源电极和漏电极，连接到活性层；其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。

【技术特征摘要】
2012.03.15 KR 10-2012-00266021.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及源电极和漏电极，连接到活性层；其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开,其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个沿第二方向连接到布线，所述布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开相同的间隔。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边设置在活性层的沿第一方向延伸的相对侧边内。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的第一长度比栅电极的第一宽度长。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极沿第一方向延伸并彼此面对。7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，活性层包括氧化物半导体。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，活性层包括氧以及从镓、铟、锌、铪和锡中选择的至少一种元素。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极通过相应的接触孔连接到活性层。10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中：活性层包括掺杂有离子杂质的区域，以及源电极和漏电极通过接触孔连接到所述区域。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林基主，梁熙元，金民圭，郑棕翰，金光淑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：