薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示设备和一种包括该薄膜晶体管的有机发光显示设备。薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接到活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备本申请要求于2012年3月15日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0026602号韩国专利申请的权益，上述申请的公开通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种薄膜晶体管（TFT）、一种包括该TFT的显示设备以及一种包括该TFT的有机发光显示设备。
技术介绍
TFT被用作液晶显示设备或有机发光显示设备的驱动器件或开关器件。TFT的特性受沟道层的材料和状态的影响。因为非晶硅具有低的迁移率，所以具有高的迁移率且在低温下进行处理的氧化物半导体已经越来越多地被用作TFT的沟道层。
技术实现思路
实施例针对一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接至活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开。栅电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及源电极和漏电极，连接到活性层；其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。

【技术特征摘要】
2012.03.15 KR 10-2012-00266021.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及源电极和漏电极，连接到活性层；其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开,其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个沿第二方向连接到布线，所述布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开相同的间隔。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边设置在活性层的沿第一方向延伸的相对侧边内。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的第一长度比栅电极的第一宽度长。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极沿第一方向延伸并彼此面对。7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，活性层包括氧化物半导体。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，活性层包括氧以及从镓、铟、锌、铪和锡中选择的至少一种元素。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极通过相应的接触孔连接到活性层。10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中：活性层包括掺杂有离子杂质的区域，以及源电极和漏电极通过接触孔连接到所述区域。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林基主，梁熙元，金民圭，郑棕翰，金光淑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：