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本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，氧化物薄膜晶体管设有固定设置于氧化物半导体层的裸露面表面的表面自主装单分子层。表面自主装单分子层是通有机溶剂、无机溶剂处理、烷烃硫醇、烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面获得...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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