快恢复二极管制备方法技术

本发明专利技术涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N-型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧；对衬底退火，以在衬底表面形成二氧化硅层；刻蚀去除二氧化硅层；形成快恢复二极管的阳极、阴极电极。其消除了PN结形貌在靠近硅表面处的弯曲部，减小了此处的电场强度，从而提高了快恢复二极管器件击穿电压以及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种，包括如下步骤：在N-型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧；对衬底退火，以在衬底表面形成二氧化硅层；刻蚀去除二氧化硅层；形成快恢复二极管的阳极、阴极电极。其消除了PN结形貌在靠近硅表面处的弯曲部，减小了此处的电场强度，从而提高了快恢复二极管器件击穿电压以及可靠性。【专利说明】
本专利技术涉及半导体加工制造领域，更具体地说，涉及一种快恢复二极管的制备方法。
技术介绍
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压(耐压值)较闻。随着IGBT等功率器件的快速发展，与之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：a)、在N?型衬底表面生长一牺牲氧化层；b)、在所述衬底上形成一P型掺杂场限环区；c)、在所述衬底上形成一P型掺杂阳极区；d)、刻蚀去除所述牺牲氧化层；e)、对所述衬底退火，以形成PN结；f)、通过离子注入向所述衬底表面注入氧；g)、对所述衬底退火，以在所述衬底表面形成二氧化硅层；h)、刻蚀去除所述二氧化硅层；i)、形成所述快恢复二极管的阳极、阴极电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王全，董洁琼，孙德明，周伟，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：