改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法，制作N型轻掺杂硅衬底；在N型轻掺杂硅衬底的上端面形成金属前介质层；刻蚀金属前介质层，在N型轻掺杂硅衬底的上端面定义出制作钴硅化合物层的区域；采用湿法清洗N型轻掺杂硅衬底的表面；在金属前介质层和N型轻掺杂硅衬底的上端面依次淀积金属钴层和氮化钛保护层；去除金属前介质层表面多余的金属钴层和氮化钛保护层，并对金属钴层和氮化钛保护层进行两次快速热退火处理形成钴硅化合物层；在钴硅化合物层和N型轻掺杂硅衬底上分别制作金属连接。本发明专利技术能有效改善肖特基二极管击穿电压均一性，消除肖特基二极管的短路现象，提高工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底中进行N型轻掺杂离子注入，形成N阱，构成N型轻掺杂硅衬底；步骤二、在所述N型轻掺杂硅衬底的上端面形成一金属前介质层；步骤三、刻蚀所述金属前介质层，在所述N型轻掺杂硅衬底的上端面定义出制作钴硅化合物层的区域；步骤四、湿法清洗所述N型轻掺杂硅衬底的表面；其特征在于，还包括：步骤五、在所述金属前介质层和所述N型轻掺杂硅衬底的上端面依次淀积金属钴层和氮化钛保护层；步骤六、去除所述金属前介质层表面多余的金属钴层和氮化钛保护层，并对所述金属钴层和氮化钛保护层进行两次快速热退火处理形成钴硅化合物层；步骤七、在所述钴硅化合物层和N型轻掺杂硅衬底上分别制作金属连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：成鑫华，许升高，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：