一种框架、包含该框架的二极管模块及二极管模块的加工工艺制造技术

一种框架、包含该框架的二极管模块及二极管模块的加工工艺。涉及其中针对二极管模块及其内部结构、加工工艺提出的改进。结构精巧、使用效果好且使用寿命长，使用时可有效避免局部过热、散热不均匀等问题。包括n个依次相邻的本体，相邻所述本体之间留有间隙，通过n个本体串接n-1个芯片，所述芯片的正极和负极分别连接在相邻的两本体上，首位所述本体与芯片的正极连接，末位所述本体与芯片的负极连接，末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中、且末位芯片的正极位于凹槽内。本发明专利技术工作时可进行均匀散热，提升了框架的散热效果并延长了使用寿命，使得二极管模块整体的电性能以及使用稳定性得到了大幅提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏设备领域，尤其涉及其中针对二极管模块及其内部结构、加工工艺提出的改进。
技术介绍
随着光伏二极管的大力发展，接线盒的种类也变得越来越多，再加上成本的限制，使得人们对二极管的性能要求也越来越严格。传统工艺中，需在接线盒中进行铜片的安装以及二极管的安装、焊接等工作，带来了工序较多、操作难度大且废品率较高等缺陷，成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。对此，本申请人曾于2013年6月19日申请了一份名为“新型光伏二极管集成模块”、申请号为“201320354641.8”的技术专利，该案中通过4个铜底板来完成3个芯片的串接，并通过与4个铜底板连为一体的4个pin脚完成与外部设备的连接。然而，人们在实际使用时发现由于3个芯片依次串接，因此，如图4所示，4个铜底板中实际仅3个与芯片N极相连的铜底板及其对应的pin脚温度较高，剩余的1个闲置(温度相对较低)；从而带来了4个pin脚无法均匀散热，甚至局部温度过高等问题，严重影响了二极管芯片的使用稳定性、使用效果以及使用寿命。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提出了一种结构精巧、使用效果好且使用寿命长，使用时可有效避免局部过热、散热不均匀等问题，并在结构上具有极佳的稳定性的框架、包含该框架的二极管模块及二极管模块的加工工艺。本专利技术的技术方案为：所述框架包括n个依次相邻的本体，相邻所述本体之间留有间隙，通过n个本体串接n-1个芯片，所述芯片的正极和负极分别连接在相邻的两本体上，首位所述本体与芯片的正极连接，末位所述本体与芯片的负极连接，末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中、且末位芯片的正极位于凹槽内。每一所述本体的一侧均固定连接有引脚、且其中两本体的一侧固定连接有汇流带焊接脚，所述本体与汇流带焊接脚之间设有段差面。所述本体和引脚之间设有若干防水槽一，所述本体和汇流带焊接脚之间设有若干防水槽二。所述末位本体背向凹槽的一侧端面上设有与末位本体连为一体翻边。所述翻边与末位本体相垂直。所述框架包括四个依次相邻的本体，四个所述本体依次分为本体一、本体二、本体三和本体四，所述本体一上设有一正极连接点，所述本体二上设有一负极连接点和一正极连接点，所述本体三上设有一负极连接点和一正极连接点，所述本体四上设有负极连接点，使得三个芯片通过跳线依次串接在四片本体之间，所述本体四中部开设有凹槽，所述本体三伸入凹槽中、且本体三上的正极连接点位于凹槽内。所述二极管模块包括框架、n-1个芯片、n-1根跳线和封装体，所述框架包括n个本体；n-1个所述芯片的正极分别固定连接在首位本体至倒数第二位本体上、且n-1个所述芯片的负极分别与n-1根跳线的一端固定连接，n-1跟所述跳线远离芯片的一端分别固定连接在正数第二位本体至末位本体上；n个所述本体的中部均开设有过胶孔，所述封装体包覆在n个本体外、且引脚和汇流带焊接脚均伸出至封装体外。所述跳线分为主跳线和副跳线，所述副跳线呈弧形、且副跳线的两端均固定连接在芯片的负极上，所述主跳线呈弧形，所述主跳线的一端与副跳线的一端连为一体、且固定连接与芯片的负极上，所述主跳线的另一端则固定连接在与该芯片相邻的一本体上。所述主跳线和副跳线均由铝制成。按以下步骤进行加工：1)、原材料处理：取片状的铜片，并将其加工成长条状的铜带；2)、初步冲孔：通过若干冲孔模先逐步完成各引脚、汇流带焊接脚的轮廓冲制，再完成相邻框架之间空隙的冲制；此时同一框架中的n个本体仍连为一体，相邻框架之间通过顶梁仍连为一体，同一框架中的两汇流带焊接脚通过底梁仍连为一体，相邻框架之间的两汇流带焊接脚通过连接块仍连为一体；3)、加工卸力条：将块状的连接块冲制成两相对且对称设置的弧形的卸力条；4)、翻边：通过翻边模同时完成框架中末位本体一侧的翻边，以及汇流带焊接脚与本体之间的段差面的加工；5)、精加工：逐步完成同一框架中相邻本体之间的间隙的冲制，此时顶梁、底梁和卸力条仍未切除；6)、加工框架总成：取至少两个框架作为框架总成，切断相邻框架总成之间的顶梁，并切除相邻框架总成之间的卸力条；7)、焊接：先将芯片的正极焊接在与其对应的本体上，再将跳线的两端分别焊接在本体和芯片的负极上；8)、封胶：通过打胶机将封装体融化并包覆在各个框架上，此后自然冷却至固体状态；9)、切割：先完成相邻框架之间的顶梁的切断及卸力条的切除，再完成同一框架上顶梁、底梁的切除；10)、成品加工：对伸出至封装体外的引脚以及汇流带焊接脚进行防腐处理，并将汇流带焊接脚折弯成弧形；完毕。本专利技术通过新增的末位本体上的凹槽以及末位芯片的位置的重新设计，使得末位芯片在工作时将通过两种路径进行热传递：其一是通过倒数第二位本体的热传递到达与倒数第二位固定连接的引脚上；其二是通过跳线和末位本体的热传递、以及芯片的热辐射，使得热量最终到达与末位本体固定连接的引脚上。这样，使得末位芯片的热量分别由与倒数第二位本体固定连接的引脚、与末位本体固定连接的引脚进行外散，从而使得若干个引脚在芯片工作时可进行均匀散热，有效避免了可能出现的局部温度过高(尤其是与倒数第二位本体连接的引脚)的问题，进而有效提升了框架的散热效果并延长了使用寿命，使得二极管模块整体的电性能以及使用稳定性得到了大幅提升。附图说明图1是本案中框架的结构示意图，图2是图1的左视图，图3是图1的A-A向剖视图，图4是现有技术中框架的散热路径示意图，图5是本案中框架的散热路径示意图，图6是二极管模块的结构示意图，图7是图6的立体图；图8是本案中跳线的结构示意图；图9是本案的加工流程示意图一，图10是本案的加工流程示意图二，图11是本案的加工流程示意图三，图12是本案的加工流程示意图四，图13是本案的加工流程示意图五，图14是本案的加工流程示意图六，图15是本案的加工流程示意图七，图16是本案的加工流程示意图八，图17是本案的加工流程示意图九，图18是本案的加工流程示意图十；图中1是框架总成，11是框架，111是本体，1111是本体一，1112是本体二，1113是本体三，1114是本体四，11141是凹槽，11142是翻边，112是引脚，113是汇流带焊接脚，1130是段差面，114是顶梁，115是底梁，116是卸力条，2是芯片，3是跳线，31是主跳线，32是副跳线，4是封装体。具体实施方式本专利技术如图1-18所示，所述框本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种框架，所述框架包括n个依次相邻的本体，相邻所述本体之间留有间隙，通过n个本体串接n‑1个芯片，所述芯片的正极和负极分别连接在相邻的两本体上，其特征在于，首位所述本体与芯片的正极连接，末位所述本体与芯片的负极连接，末位本体的中部开设有凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中、且末位芯片的正极位于凹槽内。

【技术特征摘要】
1.一种框架，所述框架包括n个依次相邻的本体，相邻所述本体之间留有间隙，通过n
个本体串接n-1个芯片，所述芯片的正极和负极分别连接在相邻的两本体上，其特征在于，
首位所述本体与芯片的正极连接，末位所述本体与芯片的负极连接，末位本体的中部开设有
凹槽，使得倒数第二位本体伸入凹槽中、且末位芯片的正极位于凹槽内。
2.根据权利要求1所述的一种框架，其特征在于，每一所述本体的一侧均固定连接有引
脚、且其中两本体的一侧固定连接有汇流带焊接脚，所述本体与汇流带焊接脚之间设有段差
面。
3.根据权利要求2所述的一种框架，其特征在于，所述本体和引脚之间设有若干防水槽
一，所述本体和汇流带焊接脚之间设有若干防水槽二。
4.根据权利要求2所述的一种框架，其特征在于，所述末位本体背向凹槽的一侧端面上
设有与末位本体连为一体翻边。
5.根据权利要求4所述的一种框架，其特征在于，所述翻边与末位本体相垂直。
6.根据权利要求1所述的一种框架，其特征在于，所述框架包括四个依次相邻的本体，
四个所述本体依次分为本体一、本体二、本体三和本体四，所述本体一上设有一正极连接点，
所述本体二上设有一负极连接点和一正极连接点，所述本体三上设有一负极连接点和一正极
连接点，所述本体四上设有负极连接点，使得三个芯片通过跳线依次串接在四片本体之间，
所述本体四中部开设有凹槽，所述本体三伸入凹槽中、且本体三上的正极连接点位于凹槽内。
7.一种包含权利要求4所述的框架的二极管模块，其特征在于，所述二极管模块包括框
架、n-1个芯片、n-1根跳线和封装体，所述框架包括n个本体；
n-1个所述芯片的正极分别固定连接在首位本体至倒数第二位本体上、且n-1个所述芯片
的负极分别与n-1根跳线的一端固定连接，n-1跟所述跳线远离芯片的一端分别固定连接在正
数第二位本体至末位本体上；
n个所述本体的中部均开设有过胶孔，所述封装体包覆在n个本体外、且引脚和汇流...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓华，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32