电流分散效果优秀的发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开借助电流分散效果来实现优秀的发光效率发光器件及其制备方法。本发明专利技术的发光器件包括：发光结构体，形成于基板上，上述发光结构体包括第一半导体层、活性层及第二半导体层，直到第二半导体层及上述活性层形成有多个沟槽；第一电极，与发光结构体的第二半导体层相接触；以及第二电极，沿着基板的至少一个边缘与第一半导体层相接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光器件(Light-Emitting device)及其制备方法，更详细地涉及。
技术介绍
发光器件通常具有η型半导体层、P型半导体层以及在上述η型半导体层和ρ型半导体层之间可借助电子/空穴复合发光的活性层。并且，发光器件具有向η型半导体层供给电子的η侧电极和向ρ型半导体层供给空穴的ρ侧电极。发光器件可根据电极的位置区分为水平式(lateral)结构及垂直式(vertical)结构。通常，水平式结构及垂直式结构根据使用于发光器件的基板是否导电来决定。例如，使用如蓝宝石基板之类的具有电绝缘性的基板的发光装置主要由水平式结构来实现。在这种水平式结构的发光器件的情况下，ρ侧电极可直接形成于ρ型半导体层上。但是，η侧电极通过台面刻蚀(mesa etching)部分地去除ρ型半导体层及活性层，从而在η型半导体层的一部分区域被露出的状态下形成。在如上所述的水平式结构的发光器件中，通过台面刻蚀使发光面积减少，并且侧向形成电流流动。其结果，在整体面积中难以实现均匀的电流分散，由此发光效率也减少。为了高功率而以大面积的方式实现发光装置的情况下，提供如指(finger)状的电极结构，并以遍及整个发光面积的方式实现均匀的电流分散。但是，这种情况下，有可能因指状物而限制光提取，或引起基于电极的光吸收，从而减少发光效率。与本专利技术相关的现有文献有韩国公开特许公报第10-0665302号(2007年01月04日公告)，在上述现有文献中公开了阵列有多个发光单体的倒装芯片型发光器件。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题本专利技术的目的在于，提供节减工序费用且可呈现优秀的电流分散效果的发光器件及其制备方法。_0] 技术方案用于实现上述一个目的的本专利技术实施例的发光器件，其特征在于，包括:发光结构体，形成于基板上，上述发光结构体包括第一半导体层、活性层及第二半导体层，直到上述第二半导体层及上述活性层形成有多个沟槽；第一电极，与上述发光结构体的第二半导体层相接触；以及第二电极，沿着上述基板的至少一个边缘与上述第一半导体层相接触。此时，上述第二电极的一部分或全部可由与上述第一电极的一部分或全部相同的结构体形成。用于实现上述另一目的的本专利技术实施例的发光器件的制备方法，其特征在于，包括:在基板上形成包括第一半导体层、活性层及第二半导体层的发光结构体的步骤；至少对上述第二半导体层及活性层进行刻蚀来形成多个沟槽的步骤；以及在上述第二半导体层上形成第一电极，并在上述第一半导体层上沿着上述基板的至少一个边缘由与上述第一电极的一部分或全部相同的结构体形成第二电极的一部分或全部的步骤。有益效果在本专利技术的发光器件中，沿着基板的至少一个边缘形成的电极与下部半导体层电连接，从而可相对地增大电流分散效率，由此提高发光效率。并且，根据本专利技术，通过同期工序由与上部半导体层相接触的电极的一部分或整体相同的结构体形成与下部半导体层相接触的电极，从而可在节减工序费用的情况下制备发光器件。【附图说明】图1为示出本专利技术实施例的发光器件的俯视图。图2为按A-A’线截取图1并放大的剖视图。图3为按B-B ’线截取图1并放大的剖视图。【具体实施方式】参照附图详细后述的实施例可明确本专利技术的优点、特征以及实现这些优点及特征的方法。但本专利技术并不局限于以下所公开的实施例，能够以互不相同的多种形态实现，本实施例只用于使本专利技术的公开内容更加完整，可使本专利技术所属
的普通技术人员完整地理解专利技术的范畴，本专利技术仅由专利技术要求保护范围来定义。在说明书全文中相同的附图标记指相同的结构要素。以下，参照附图对本专利技术实施例的节减工序费用且可呈现优秀的电流分散效果的发光器件及其制备方法进行详细说明。图1为示出本专利技术实施例的发光器件的俯视图，图2为按A-A’线截取图1并放大的剖视图，图3为按B-B ’线截取图1并放大的剖视图。参照图1至图3，示出的发光器件包括基板110、发光结构体120、第一电极130及第二电极140。并且，本专利技术的发光器件还可包括金属保护层150、绝缘层160、第一凸点(Bump) 170 及第二凸点 180。首先，观察整体形状可知，在基板110上形成有发光结构体120，上述发光结构体120包括相互隔开的多个沟槽T，在发光结构体120的第二半导体层126上形成有第一电极130，在发光结构体120的第一半导体层122上沿着基板110的边缘形成有第二电极140。发光结构体120从下到上可包括第一半导体层122、活性层124及第二半导体层126，至少在第二半导体层126及活性层124形成有多个沟槽T。第一半导体层122可由掺杂有如硅(Si)之类的η型杂质的η型半导体物质形成或由掺杂有如镁(Mg)之类的ρ型杂质的P型半导体物质形成。在第一半导体层122由η型半导体物质形成的情况下，第二半导体层126由ρ型半导体物质形成，在第一半导体层122由P型半导体物质形成的情况下，第二半导体层126由η型半导体物质形成。第一半导体层122及第二半导体层126可分别例如由GaN类半导体、ZnO类半导体，GaAs类半导体、GaP类半导体及GaAsP类半导体等无机半导体形成。除此之外，第一半导体层122及第二半导体层126可分别适当地选自由II1- V族半导体、I1- VI族半导体及Si组成的组中而形成。第一半导体层122及第二半导体层126可分别由单层形成或由多层形成，可利用在该
中所公知的金属有机物化学气相沉积(MOCVD，Metal Organic ChemicalVapor Deposit1n)法、分子束外延(MBE，Molecular Beam Epitaxy)法、氢化物气相外延(HVPE，Hydride Vapor Phase Epitaxy)法等半导体层生长工序来进行生长。介于第一半导体层122和第二半导体层126之间的活性层124可借助电子和空穴的复合放出具有规定能量的光，可由量子阱层和量子势皇层相互交替层叠的多量子阱(MQff, Mult1-Quantum-Well)结构形成。在多量子讲结构的情况下，例如可使用InGaN/GaN结构。在活性层124的特性上，也可调节构成物质的组成比来调节发光的光的波长。发光结构体120可根据活性层124的特性发出选自红外线区域到紫外线区域的光。这种发光结构体120制备利用半导体的p-n接合结构来注入的少数载流子(电子或空穴)，并利用借助它们的复合(re-combinat1n)发光的现象。在本专利技术中，形成于发光结构体120的多个沟槽T由第二半导体层126及活性层124进行刻蚀来形成。多个沟槽T用于第一半导体层122和第二电极140的接触(contact)。优选地，沟槽T为了与第一凸点170的顺畅的接触，如图所示，多个相互隔开而形成，更优选地，形成至基板110的边缘区域。沟槽T可具有越向下部宽度就越狭窄的台面(mesa)结构。这种情况下，沟槽T可利用通常的台面刻蚀(mesa etching)工序依次对第二半导体层126及活性层124进行刻蚀来形成。由此，使第一半导体层122露出。另一方面，当进行台面刻蚀工序时，与第二半导体层126及活性层124—同，还可对第一半导体层122的一部分进行刻蚀来形成沟槽T，将其示于图2及图3中。另一方面，虽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，其特征在于，包括：发光结构体，形成于基板上，所述发光结构体包括第一半导体层、活性层及第二半导体层，直到所述第二半导体层及所述活性层形成有多个沟槽；第一电极，与所述发光结构体的第二半导体层相接触；以及第二电极，沿着所述基板的至少一个边缘与所述发光结构体的第一半导体层相接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋正涉，金东佑，金克，崔元珍，黄城州，
申请(专利权)人：日进LED有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR