【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，该发光装置包含:发光单元，形成于衬底的一个表面上，其中所述发光单元包括多个半导体层且发射特定波长的光;以及波长转换层，形成于所述衬底的另一表面上且达到所述衬底的侧面的特定高度，其中所述波长转换层转换从所述发光单元发射的光的波长。【专利说明】相关申请案的交叉参考本申请案主张2012年9月7日申请的第10-2012-0099299号韩国专利申请案的优先权以及从其得到的所有权益，所述韩国专利申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种发光装置，尤其涉及一种发光装置以及一种制造所述发光装置的方法，其可增强光提取效率且因此增强亮度。
技术介绍
一般来说，例如GaN、AlN和InGaN等氮化物具有极好的热稳定性和直接跃迁型能带(direct transition-type energy band),且因此最近作为应用在光电装置的主要材料。明确地说，因为在室温下GaN的能带隙为3.4电子伏特且InGaN的能带隙取决于In与Ga的比率为1.9电子伏特到2.8电子伏特，所以所述氮化物可用于高温高输出装置。使用例如GaN和InG...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括:衬底，在所述衬底的一个表面上形成了多个发光单元，其中所述多个发光单元包括多个半导体层且发射特定波长的光;多个切口部分，形成于所述衬底的另一表面上位于特定深度处;以及波长转换层，形成于所述衬底的所述另一表面和所述多个切口部分上，其中所述波长转换层转换从所述发光单元发射的光的波长。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金璨洙，金东佑，金克，高宗万，
申请(专利权)人：日进LED有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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