发光器件、发光器件封装以及照明单元制造技术

根据一个实施例的发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层以及在有源层之下的第二导电半导体层；反射电极，设置在发光结构之下；第一金属层，设置在反射电极之下并电连接到第二导电半导体层；第二金属层，设置在反射电极之下并与第一金属层绝缘；以及接触部，用于电连接第二金属层和第一导电半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、发光器件封装以及照明单元
[0001 ] 本专利技术涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明单元。
技术介绍
发光二极管(LED)已经被广泛地用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性而将电信号转换成例如红外光、紫外光和可见光的光的形式。 随着发光器件的发光效率提高，LED已被用于各种领域，例如显示装置和照明器具。
技术实现思路
技术问题 本专利技术例提供了一种能够降低工作电压并提高光提取效率的发光器件、发光器件封装以及照明单元。 技术解决方案 根据本专利技术的发光器件包括:发光结构，其包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层以及在有源层之下的第二导电半导体层；反射电极，位于发光结构之下；第一金属层，布置于反射电极之下并电连接到第二导电半导体层；第二金属层，布置于反射电极之下并与第一金属层绝缘；以及接触部，其使第二金属层电连接到第一导电半导体层。 根据本专利技术的发光器件封装包括:本体；发光器件，位于本体上；以及第一铅电极和第二铅电极，上述铅电极电连接到发光器件，其中，发光器件包括:发光结构，其包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层以及在有源层之下的第二导电半导体层；反射电极，位于发光结构之下；第一金属层，布置于反射电极之下并电连接到第二导电半导体层；第二金属层，布置于反射电极之下并与第一金属层绝缘；以及接触部，其使第二金属层电连接到第一导电半导体层。 根据本专利技术的照明单元包括:衬底；发光器件，位于衬底上；以及光学构件，充当从发光器件发出的光的光路，其中，发光器件包括:发光结构，其包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层以及在有源层之下的第二导电半导体层；反射电极，位于发光结构之下；第一金属层，布置于反射电极之下并电连接到第二导电半导体层；第二金属层，布置于反射电极之下并与第一金属层绝缘；以及接触部，其使第二金属层电连接到第一导电半导体层。 专利技术效果 根据本实施例的发光器件、发光器件封装和照明单元可降低工作电压并提高光提取率。 【附图说明】 图1是示出了根据本专利技术的发光器件的视图。 图2是示出了根据本专利技术的发光器件的第一金属层和接触部的视图。 图3到图7是示出了根据本专利技术的制造发光器件的方法的视图。 图8是示出了根据本专利技术的发光器件封装的视图。 图9是示出了根据本专利技术的显示器件的视图。 图10是示出了根据本专利技术的显示器件的另一示例的视图。 图11到图13是示出了根据本专利技术的照明装置的视图。 图14和图15是示出了根据本专利技术的照明装置的另一示例的视图。 【具体实施方式】 在本专利技术的描述中，应理解的是，当提到一层(或膜)、区域、图案或结构在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一衬垫或另一图案“之上”或“之下”时，能够是“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、衬垫或图案之上，或也可存在一个或多个中间层。这样的层的位置已参照附图描述。 为了方便和清楚，附图中的各层的厚度和尺寸可被夸大、省略或示意性绘出。此夕卜，各元件的尺寸未必完全地反映其实际尺寸。 在下文中，将参照附图详细描述根据本专利技术的发光器件、发光器件封装、照明单元以及用于制造发光器件的方法。 图1是示出了根据本专利技术的发光器件的视图。 如图1所示，根据本专利技术的发光器件可包括发光结构10、反射电极17、第一金属层50、第二金属层55和接触部75。 发光结构10可包括第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13。有源层12可被插置于第一导电半导体层11和第二导电半导体层13之间。有源层12可被设置在第一导电半导体层11之下，第二导电半导体层13可被设置在有源层12之下。 例如，第一导电半导体层11可包括掺杂有充当第一导电掺杂物的N型掺杂物的N型半导体层，第二导电半导体层13可包括掺杂有充当第二导电掺杂物的P型掺杂物的P型半导体层。此外，第一导电半导体层11可包括P型半导体层，第二导电半导体层13可包括N型半导体层。 例如，第一导电半导体层11可包括N型半导体层。第一导电半导体层11可通过使用化合物半导体实现。第一导电半导体层11可通过使用I1-VI族化合物半导体或II1-V族化合物半导体实现。 例如，第一导电半导体层11可通过使用具有InxAlyGa1TyN(O ^ x ^ 1,0 ^ y ^ I,O ^ x+y ^ I)的组合化学式的半导体材料实现。例如，第一导电半导体层11可包括从由掺杂有 N 型掺杂物(例如 S1、Ge、Sn、Se 和 Te)的 GaN, AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN,AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 和 AlGaInP 组成的组中选择的一者。 通过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)和通过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)的组合，有源层12发光，发出的光的波长对应于根据构成有源层12的材料的能带隙差。有源层12可具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构和量子线结构中的一种，但是本专利技术不限于此。 有源层12可通过使用化合物半导体而实现。有源层12可通过使用具有InxAlyGa1^yN (Ox+y ( I)的组合化学式的半导体材料实现。当有源层12具有MQW结构时，有源层12可通过堆叠多个阱层和多个势垒层形成。例如，有源层12可具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环。 例如，第二导电半导体层13可包括P型半导体层。第二导电半导体层13可使用化合物半导体实现。例如，第二导电半导体层13可使用I1-VI族化合物半导体或I1-V族化合物半导体实现。 例如，第二导电半导体层13可使用具有InxAlyGa^N(O彡x彡1，0彡y彡1，O ^ x+y ^ I)的组合化学式的半导体材料实现。例如，第二导电半导体层13可包括从由掺杂有 P 型掺杂物(例如 Mg、Zn、Ca、Sr 和 Ba)的 GaN, AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN,AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 和 AlGaInP 组成的组中选择的一者。 同时，第一导电半导体层11可包括P型半导体层，第二导电半导体层13可包括N型半导体层。此外，包括N型半导体层或P型半导体层的半导体层可被另外设置在第二导电半导体层13之下。因此，第一发光结构10可具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一者。此外，杂质可能以均匀的或不均匀的掺杂浓度被掺杂到第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换言之,第一发光结构10可具有各种各样的结构，且本专利技术不限于此。 此外，第一导电的InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构可在第一导电半导体层11和有源层12之间形成。此外，第二导电AlGaN层可在第二导电半导体层13和有源层12之间形成。 反射电极17可被置于发光结构10之下。欧姆接触层15可进一步布置于发光结构10和反射电极17之间。第一金属层50可被置于发光结构10之下并在欧姆接触层15周围。第一金属层50可被置于发光结构10的下部周围。第一金属层5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的有源层以及在所述有源层之下的第二导电半导体层；反射电极，在所述发光结构之下；第一金属层，布置于所述反射电极之下并电连接到所述第二导电半导体层；第二金属层，布置于所述反射电极之下并与所述第一金属层绝缘；以及接触部，其使所述第二金属层电连接到所述第一导电半导体层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.08 KR 10-2012-00613721.一种发光器件，包括: 发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的有源层以及在所述有源层之下的第二导电半导体层； 反射电极，在所述发光结构之下； 第一金属层，布置于所述反射电极之下并电连接到所述第二导电半导体层； 第二金属层，布置于所述反射电极之下并与所述第一金属层绝缘；以及 接触部，其使所述第二金属层电连接到所述第一导电半导体层。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一金属层电连接到所述反射层。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一金属层包括:第一区域，其接触所述第二导电半导体层的底部；以及第二区域，从所述第一区域向外延伸。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二金属层被布置于所述第一金属层之下。5.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第一金属层与所述第二金属层之间的第一绝缘层。6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述接触部穿过所述第一绝缘层形成。7.根据权利要求5所述的发光器件,其中，所述第一绝缘层被布置于所述第一金属层的周围。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触部的第一区域接触所述第一导电半导体层的顶面。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触部的第二区域被布置于所述有源层和所述第二导电半导体层的侧边。10.根据权利要求9所述的发光器件，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置于所述接触部的第二区域与所述有源层之间以及所述接触部的第二区域与所述第二导电半导体层之间。11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触部与所述第一金属层的侧边分隔开。12.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第二导电半导体层与所述反射电极之间的欧姆接触层。13.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR