半导体发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层；接触区域，其中，通过部分去除第二半导体层和有源层，而露出第一半导体层；非导电反射膜，该非导电反射膜适于覆盖第二半导体层和接触区域，以向生长基板一侧上的第一半导体层反射来自有源层的光；指状电极，该指状电极在非导电反射膜与多个半导体层之间延伸；电连接部，该电连接部适于穿过非导电反射膜并且与指状电极电连接；以及直连型电连接部，该直连型电连接部适于穿过非导电反射膜并且与多个半导体层电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层；接触区域，其中，通过部分去除第二半导体层和有源层，而露出第一半导体层；非导电反射膜，该非导电反射膜适于覆盖第二半导体层和接触区域，以向生长基板一侧上的第一半导体层反射来自有源层的光；指状电极，该指状电极在非导电反射膜与多个半导体层之间延伸；电连接部，该电连接部适于穿过非导电反射膜并且与指状电极电连接；以及直连型电连接部，该直连型电连接部适于穿过非导电反射膜并且与多个半导体层电连接。【专利说明】半导体发光器件
本专利技术总体涉及一种半导体发光器件，更具体地说，涉及一种具有改进的光提取 效果的半导体发光器件。 在本文的上下文中，术语"半导体发光器件"指通过电子-空穴复合产生光的半导 体光学器件，并且一个示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由含有 Al(x)Ga(y)In(1_x_y)N(其中，?彡X彡1、0彡y彡1、0彡x+y彡1)的化合物组成。其另一个示 例是用于红光发射的GaAs基半导体发光器件。
技术介绍
该部分提供与本专利技术相关的背景信息，这些信息不一定是现有技术。 图1是例示美国专利No. 7, 262, 436中提出的半导体发光器件的示例的图。半导 体发光器件包括基板100 ;n型半导体层300,该η型半导体层300生长在基板100上；有源 层400,该有源层400生长在η型半导体层300上；ρ型半导体层500,该ρ型半导体层500 生长在有源层400上；电极901、902和903,这些电极形成在ρ型半导体层500上，同时用 作反射膜；以及η侧结合焊盘800,该η侧结合焊盘800形成在已经被蚀刻且露出的η型半 导体层300上。η型半导体层300和ρ型半导体层500可以是相反的导电类型。优选地，缓 冲层（未示出）设置在基板100与η型半导体层300之间。具有该结构（即，所有的电极 901、902和903以及η侧结合焊盘800形成在基板100的相对侧上，电极901、902和903用 作反射膜）的芯片称作倒装芯片。电极901、902和903由具有高反射率的电极901 (例如， Ag)、用于结合的电极903(例如，Au)以及用于防止电极901的材料与电极903的材料之间 的扩散的电极902(例如，Ni)组成。虽然该金属反射膜结构具有高反射率并且在电流扩散 方面是有利的，但是其具有的缺点是金属吸收光。 图2是例示日本第2006-120913号公报中提出的半导体发光器件的示例的图。半 导体发光器件包括：基板100 ;缓冲层，该缓冲层生长在基板100上；η型半导体层300,该η 型半导体层300生长在缓冲层200上；有源层400,该有源层400生长在η型半导体层300 上；P型半导体层500,该ρ型半导体层500生长在有源层400上；透光导电膜600,具有电 流扩散功能的该透光导电膜600形成在ρ型半导体层500上；ρ侧结合焊盘700,该ρ侧结 合焊盘700形成在透光导电膜600上；η侧结合焊盘800,该η侧结合焊盘800形成在已经 蚀刻且露出的η型半导体层300上。进一步地，分布布拉格反射器（DBR)900和金属反射膜 904设置在透光导电膜600上。虽然该结构减少了由金属反射膜904对光的吸收，但是其具 有的缺点是与使用电极901、902和903相比，电流传输相对较差。 图3是例示日本第2009-164423号公报中提出的半导体发光器件的示例的图。在 半导体发光器件中，DBR 900和金属反射膜904设置在多个半导体层300、400和500上，荧 光体1000设置在其相反侧上。金属反射膜904和η侧结合焊盘800与外部电极1100和 1200电连接。外部电极1100和1200可以是用于封装的引线框架，或者COB(板上芯片）或 PCB(印刷电路板）上设置的电图案。荧光体1000可以统一涂布，或可以与环氧树脂混合， 然后用于覆盖外部电极1100和1200。荧光体1000吸收在有源层中产生的光，并且将该光 转换成具有更长波长或更短波长的光。 图10是例示现有技术中半导体发光器件的另一个示例的图，其中，半导体发光器 件包括基板10 (例如，蓝宝石基板）；缓冲层20,该缓冲层20生长在基板10上；η型半导体 层30,该η型半导体层30生长在缓冲层20上；有源层40,该有源层40生长在η型半导体层 30上；ρ型半导体层50,该ρ型半导体层50生长在有源层40上；电流扩散导电膜60,该电 流扩散导电膜60形成在ρ型半导体层50上；ρ侧电极70,该ρ侧电极70形成在电流扩散 导电膜60上；η侧电极80,该η侧电极80形成在η型半导体层30的露出部分上（由ρ型 半导体层50和有源层40的台面蚀刻而产生该露出部分）；以及保护膜90。设置电流扩散 导电膜60,以促进在整个ρ型半导体层50上的电流提供。电流扩散导电膜60跨越ρ型半 导体层50的几乎整个面而形成，并且可以被配置为例如由ITO或Ni和Au制成的透光导电 膜，或由Ag制成的反射导电膜。ρ侧电极70和η侧电极80是用于提供电流的金属电极，金 属电极可以由例如镇、金、银、络、钦、销、钮、铭、依、错、锡、铜、组、铜、钻、铁、钉、错、鹤和钥 或其任意组合组成的组的任意材料制成。保护膜90由诸如SiO 2等的材料制成，并且可以省 略。为了满足更大面积和更多功耗的半导体发光器件的需要，采用指状电极和多个电极，以 促进在半导体发光器件中扩散电流。例如，具有更大面积（例如，宽/长=lOOOum/lOOOum) 的半导体发光器件具有用于P侧电极70和η侧电极80的指状电极，以便提供提高的电流 扩散效果，并且还具有多个P侧电极70以及多个η侧电极80,使得提供足量的电流。然而， 因为诸如P侧电极70和η侧电极80等的金属电极通常具有大厚度，因此在光吸收中具有 更大损失，所以劣化了它们的光提取效率。
技术实现思路
技术问题 本专利技术所要解决的问题将在用于执行本专利技术的最佳模式的后面部分中进行描述。 技术方案 该部分提供本专利技术的总体概述并且不是其全部范围或所有其特征的全面公开。 根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多 个半导体层；接触区域，其中，通过部分去除第二半导体层和有源层，而使第一半导体层露 出；非导电反射膜，该非导电反射膜适于覆盖所述第二半导体层和所述接触区域，以向生长 基板一侧上的所述第一半导体层反射来自所述有源层的光；指状电极，该指状电极在所述 非导电反射膜与所述多个半导体层之间延伸；电连接部，该电连接部适于穿过所述非导电 反射膜并且与所述指状电极电连接；以及直连型电连接部，该直连型电连接部适于穿过所 述非导电反射膜并且与所述多个半导体层电连接。 根据本专利技术的另一个方面，提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括： 多个半导体层，它们利用生长基板顺序生长，并且包括具有第一导电性的第一半导体层、具 有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层、和插入在所述第一半导体层与所 述第二半导体层之间的且经由电子-空穴复合产生光的有源层；电流扩散导电膜，该电流 扩散导电膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，这些半导体层利用生长基板顺序生长，并且包括第一半导体层、第二半导体层和有源层，所述第一半导体层具有第一导电性、所述第二半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性，所述有源层插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间且经由电子‑空穴复合产生光；接触区域，其中，通过部分去除第二半导体层和有源层，而露出第一半导体层；非导电反射膜，该非导电反射膜适于覆盖所述第二半导体层和所述接触区域，以向生长基板一侧上的所述第一半导体层反射来自所述有源层的光；第一指状电极，该第一指状电极在所述非导电反射膜与所述第二半导体层之间延伸；第一电连接部，该第一电连接部适于穿过所述非导电反射膜并且与所述第一指状电极电连接；以及第一直连型电连接部，该第一直连型电连接部适于穿过所述非导电反射膜并且与所述第二半导体层电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴恩铉，全水根，
申请(专利权)人：世迈克琉明有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR