半导体发光器件制造技术

提供一种半导体发光器件，包括：第一导电型半导体层；发光层；第二导电型半导体层；第一极性的导电部分，其电气连接到第一导电型半导体层；以及第二极性的导电部分，其电气连接到第二导电型半导体层。第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分。分开的电极部分的位置越靠近发光表面的中心点，分开的电极部分被稀疏地设置，分开的电极部分的位置越远离发光表面的中心点，分开的电极部分被密集地设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光器件。更具体地，本专利技术涉及一种具有提高的发光量的半导体发光器件。
技术介绍
在半导体发光器件中，优选的是发光层的发光表面上的亮度分布是均匀的。当半导体层的发光表面上的电流密度不均匀时，在大电流流动的地方劣化发展迅速。而且，在发光表面上的电流密度越均匀，从半导体发光器件发射的光变得越亮。因此，已经开发了使发光表面上的亮度均匀的技术。例如，专利文献I公开了一种半导体发光器件，其包括具有布置在芯片表面的相等间隔处的线性部分的电极(参考专利文献I的段和图2)。电极形成在芯片表面的整个面积上。相应地，形成了在彼此相对的线性电极之间平行地发光的多个发光部分，并且从而半导体发光器件的发光表面能够均匀地发光(参考专利文献I的段)。而且，还公开了其中设置了用于向电极馈送电力的多个馈电器的半导体发光器件(参考专利文献I的图23和图24)。专利文献I JP-A-2002-31970
技术实现思路
然而，即使当如上所述布置电极和馈电器时，仍留下了发光表面在其中心附近最亮的事实。原因在于电流易于集中在中心附近。也就是说，电流密度在发光表面的中心附近较大。做出了本专利技术来解决上面的问题，其目的是提供一种发光量在发光表面上均匀的半导体发光器件。根据第一方面的半导体发光器件，包括:第一导电型半导体层；发光层；第二导电型半导体层；第一极性的导电部分，其电气连接到第一导电型半导体层；以及第二极性的导电部分，其电气连接到第二导电型半导体层。第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分。分开的电极部分的位置较靠近发光表面的中心点，分开的电极部分被稀疏地设置，分开的电极部分的位置较远离发光表面的中心点 ，分开的电极部分被密集地设置。第一导电型半导体层为P-型半导体层或η-型半导体层。第二导电型半导体层为P-型半导体层或η-型半导体层，但是为具有不同于第一导电型半导体层的导电类型的半导体层。第一极性为正极或负极。第二极性为不同于第一极性的正极或负极。导电部分包括点电极、布线和平头电极。在半导体发光器件中，馈电的分开的电极部分与中心部分相比更多地布置在发光表面的周围部分。因此，与传统的半导体发光器件比较，电流更易于在发光表面的周围部分流动。从而，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第二方面的半导体发光器件中，多个分开的电极部分包括:第一分开的电极部分；以及第二分开的电极部分，第二分开的电极部分位于比第一分开的电极部分更远离中心点的位置处。第二分开的电极部分包括具有小于第一分开的电极部分的第一最近电极间距离的第二最近电极间距离的电极部分。最近电极间距离为分开的电极部分和最靠近分开的电极部分的第一极性的导电部分或最靠近分开的电极部分的第二极性的导电部分之间的距离。相应地，与传统的半导体发光器件比较，留下了电流更易于在在发光表面的周围部分流动的事实。因此，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均勻。在根据第三方面的半导体发光器件中，最近电极间距离是第一极性的分开的电极部分和第二极性的导电部分之间的距离。由于第一极性的分开的电极部分和第二极性的导电部分(其包括分开的电极部分、布线、平头电极等)之间的距离在周围部分较窄，所以与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第四方面的半导体发光器件中，第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的每一个均包括多个分开的电极部分。最近电极间距离为第一极性的导电部分的分开的电极部分和第二极性的导电部分的分开的电极部分之间的距离。由于第一极性的分开的电极部分和第二极性的分开的电极部分之间的距离在周围部分较窄，因此与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第五方面的半导体发光器件中，仅第一极性的导电部分包括多个分开的电极部分。最近电极间距离为第一极性的导电部分的分开的电极部分和第二极性的导电部分之间的距离。在这种情况 下，第二极性的导电部分不具有分开的电极部分。因此，第一极性的分开的电极部分和第二极性的导电部分(其包括布线、平头电极等)之间的距离在周围部分较窄。因此，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上分布的发光强度更加均匀。在根据第六方面的半导体发光器件中，第一极性的导电部分包括使第一极性的分开的电极部分彼此电气连接的第一极性的梳状布线部分。第二极性的导电部分包括使第二极性的分开的电极部分彼此电气连接的第二极性的梳状布线部分。越远离发光表面的中心点，使得第一极性的梳状布线部分上的分开的电极部分和第二极性的梳状布线部分的分开的电极部分之间的距离越窄。因此，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第七方面的半导体发光器件中，第一极性的导电部分包括电气连接分开的电极部分的具有梳状形状的第一极性的梳状布线部分。第二极性的导电部分包括具有梳状形状的第二极性的梳状电极部分。最近电极间距离为连接到第一极性的梳状布线部分的第一极性的分开的电极部分和第二极性的梳状电极部分之间的距离。越远离发光表面的中心点，使得第一极性的梳状布线部分的分开的电极部分和第二极性的梳状电极部分之间的距离越窄。因此，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第八方面的半导体发光器件中，比率b/a处于1.05 < b/a < 1.45的范围内，其中，“a”表不位于离发光表面的中心点最远的第一线路上的分开的电极部分和位于仅次于第一线路离发光表面的中心点最远的第二线路上的分开的电极部分之间的最近电极间距离，并且“b”表示位于最靠近发光表面的中心点的第三线路上的分开的电极部分和位于仅次于第三线路最靠近发光表面的中心点的第四线路的分开的电极部分之间的最近电极间距离。在发光表面中的发光强度分布变得更加均匀。在根据第九方面的半导体发光器件中，最近电极间距离b与最近电极间距离a的比b/a在1.15 ( b/a ( 1.35的范围内。在发光表面中的发光强度分布变得更加均匀。根据第十方面的半导体发光器件，第一极性的导电部分包括第一极性的分开的电极部分。最近电极间距离为第一极性的分开的电极部分之间的距离。原因如下:还是在具有平面形状的平面电极部分的倒装芯片中，使得相同的极性的分开的电极部分之间的距离在周围部分更窄，使得在发光表面中的发光强度分布变得更加均匀。根据本专利技术，设置了一种发光量在发光表面上均匀的半导体发光器件。附图说明图1为用于图示根据第一示例性实施例的发光器件的平面图；图2为用于图示根据第一示例性实施例的发光器件的结构的示意配置图；图3为用于图示根据第一示例性实施例的发光器件中的点电极的布置位置的视图；图4为用于图示已经为根据第一示例性实施例的发光器件执行的测试方法的视·图5为示出为根据第一示例性实施例的发光器件执行的测试的结果的曲线图；图6为用于图示根据第二示例性实施例的发光器件中的点电极的布置位置的视图；图7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：第一导电型半导体层；发光层；第二导电型半导体层；第一极性的导电部分，其电气连接到所述第一导电型半导体层；以及第二极性的导电部分，其电气连接到所述第二导电型半导体层，其中，所述第一极性的导电部分和所述第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分，以及其中，所述分开的电极部分的位置越靠近所述发光表面的中心点，所述分开的电极部分被越稀疏地设置，所述分开的电极部分的位置越远离所述发光表面的中心点，所述分开的电极部分被越密集地设置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：神谷真央，柏本启佑，斋藤仁美，野田尚伸，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：