发光元件、发光元件制造方法和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了发光元件、发光元件制造方法和发光装置。所述发光元件包括：层叠体，其包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；接触层，其至少被设置在所述第二导电型半导体层的周缘处，并与所述第二导电型半导体层接触；第一电极，其与所述第一导电型半导体层电连接；第二电极，其被设置于所述第一导电型半导体层侧；以及导体，其将所述第二电极与所述接触层彼此电连接。根据本发明专利技术，能够防止出现破损和有效发光面积的减小，从而实现更高的强度和更高的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适用于例如面发射型LED (Light Emitting Diode,发光二极管)的发光元件，并且涉及该发光元件的制造方法，还涉及发光装置。
技术介绍
近年来，诸如LED等发光元件被用于液晶显示装置的背光源中，也被用于照明装置和显示器等中。这种发光元件具有包括η型覆层、发光层以及P型覆层的层叠结构，并通过在分别布置于η型覆层侧(例如下侧)和P型覆层侧(例如上侧)的电极之间施加电压而提取光。通过这样的电压施加，在所谓的面发射型发光元件中，从η型覆层侧或P型覆层侧提取光。附带说明地，为了实现安装的容易化、简单化和高密度化，期望这种发光元件是晶片倒装的(flip chip mounting)。为了进行晶片倒装,必需将一对电极集中布置于上侧和下侧之中的一者上。例如，在日本未审查专利申请第2004-158872号公报中，为各半导体层设有台阶以露出各层的一部分，并且在各所述半导体层的露出部分处布置有电极。这样，一对电极就被集中布置于同一侧(例如下侧)上。
技术实现思路
然而，当以此方式为半导体层设置有露出部分时，发光元件可能易于破损。此外，因为露出部分用作非发光区，所以存在如下的风险本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，所述发光元件包括：层叠体，所述层叠体包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；接触层，所述接触层至少设置在所述第二导电型半导体层的周缘处，并与所述第二导电型半导体层接触；第一电极，所述第一电极与所述第一导电型半导体层电连接；第二电极，所述第二电极设置于所述第一导电型半导体层侧；以及导体，所述导体将所述第二电极与所述接触层彼此电连接。

【技术特征摘要】
2012.01.31 JP 2012-0176601.一种发光兀件，所述发光兀件包括: 层叠体，所述层叠体包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层； 接触层，所述接触层至少设置在所述第二导电型半导体层的周缘处，并与所述第二导电型半导体层接触； 第一电极，所述第一电极与所述第一导电型半导体层电连接； 第二电极，所述第二电极设置于所述第一导电型半导体层侧；以及 导体，所述导体将所述第二电极与所述接触层彼此电连接。2.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述导体设置于所述层叠体的侧面上。3.如权利要求2所述的发光元件，还包括设置于所述导体与所述层叠体之间的绝缘膜。4.如权利要求1所述的发光元件，其中， 在所述第二导电型半导 体层的顶面上设置有光提取面，并且 所述第一电极和所述第二电极设置于所述第一导电型半导体层的底面处。5.如权利要求3所述的发光元件，其中，所述导体完全覆盖所述层叠体的所述侧面。6.如权利要求3所述的发光元件，其中，满足下式(I):2D31X cos Θ 31= (m+1/2) X λ/n31 (I) 这里，D31为所述绝缘膜的厚度，Θ 31为在所述发光层处生成的光相对于所述绝缘膜的入射角，λ为在所述发光层处生成的光的波长，n31为所述绝缘膜的折射率，且m为O以上的整数。7.如权利要求3所述的发光元件，其中， 在所述第二电极与所述层叠体之间也设置有所述绝缘膜，并且 满足下式⑵:2D31B X cos Θ 31B= (ml+1/2) X λ /n31 (2) 这里，D31b为所述层叠体与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：青柳秀和，河崎孝彦，塩见治典，伊藤胜利，中岛真，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：