固态发光半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种固态发光半导体元件，其包括基板、平台状外延堆叠结构、绝缘层、第一型电极以及第二型电极。平台状外延堆叠结构依序包括第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，且平台状外延堆叠结构的中央具有一凹陷区，曝露出部分第一型半导体层。绝缘层覆盖平台状外延堆叠结构四周所裸露的第一型半导体层表面、平台状外延堆叠结构的侧壁以及部分第二型半导体层的表面。第一型电极位于凹陷区中的曝露的第一型半导体层上。第二型电极位于平台状外延堆叠结构四周的绝缘层上，使得第一型电极被第二型电极环绕。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件，且特别是涉及一种固态发光半导体元件。
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)主要是通过电能转化为光能的方式发光。发光二极管的主要组成材料是半导体，其中含有带正电的空穴比率较高的称为P型半导体，含有带负电的电子比率较高的称为N型半导体。P型半导体与N型半导体相接处形成PN接面。在发光二极管的正极及负极两端施加电压时，电子将与空穴结合。电子与空穴结合后便以光的形式发出。此外,发光二极管的出光强度与外加电流密度(current density)有关。一般而言，电流密度增加，出光强度则会增大。然而，要同时兼顾出光效率及电流扩散均匀并非容易，传统的做法是加长电极延伸以达到电流扩散均匀，但这却会导致发光面积减少使得出光强度降低。反之，若减少电极遮光面积来增加出光强度，却会造成电流扩散不均使得热集中效应加剧。因此，如何使电流密布均匀分布，又不会减少出光强度，实为业界发展的关键因素之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种固态发光半导体元件，可使电极的遮光面积减少，又能将电流均匀扩散，进而增加发光半导体元件的出光强度。为达上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态发光半导体元件，包括：基板；平台状(mesa)外延堆叠结构，形成于该基板上，该平台状(mesa)外延堆叠结构从与该基板接触端起算依序包括第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中该平台状(mesa)外延堆叠结构的四周并有部分该第一型半导体层表面裸露，且该平台状(mesa)外延堆叠结构的中央具有一凹陷区，曝露出部分该第一型半导体层；绝缘层，覆盖该平台状外延堆叠结构四周所裸露的该第一型半导体层表面、该平台状外延堆叠结构的侧壁以及部分该第二型半导体层的表面；第一型电极，位于该凹陷区中的曝露的该第一型半导体层上；以及第二型电极，位于该平台状外延堆叠结构四周的该绝缘层上，使得该第一型电极被该...

【技术特征摘要】
2011.11.04 TW 1001404341.一种固态发光半导体元件，包括: 基板； 平台状(mesa)外延堆叠结构，形成于该基板上,该平台状(mesa)外延堆叠结构从与该基板接触端起算依序包括第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中该平台状(mesa)外延堆叠结构的四周并有部分该第一型半导体层表面裸露，且该平台状(mesa)外延堆叠结构的中央具有一凹陷区，曝露出部分该第一型半导体层； 绝缘层，覆盖该平台状外延堆叠结构四周所裸露的该第一型半导体层表面、该平台状外延堆叠结构的侧壁以及部分该第二型半导体层的表面； 第一型电极，位于该凹陷区中的曝露的该第一型半导体层上；以及第二型电极，位于该平台状外延堆叠结构四周的该绝缘层上，使得该第一型电极被该第二型电极环绕。2.按权利要求1所述的固态发光半导体元件，其中该第一型电极包括: 第一接垫，设置于该凹陷区中的曝露的该第一型半导体层上； 第一延伸部，自该第一接垫沿一第一方向延伸一第一距离；及 端部，设置于该第一延伸部的尾端。3.按权利要求2所述的固态发光半导体元件，其中该第二型电极，包括: 第二接垫，设置于该平台状外延堆叠结构四周的该绝缘层上，且位于该第一延伸部的延伸线上与该第一端部相对 应之处； 第二延伸部，其包括有第一延伸区段，自该第二接垫沿一第二方向延伸一第二距离，以及第二延伸区段，连接该第一延伸区段并沿一第三方向延伸一第三距离；以及 第三延伸部，其包括有第三延...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政宏，侯佳宏，夏德玲，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：