LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。第二N欧姆接触层与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接。不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术创造涉及LED倒装芯片。
技术介绍
LED倒装芯片上，P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间。N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有沉坑让N欧姆接触层与N半导体层触通。按常理，P焊接电极覆盖区域不能设置N欧姆接触层和沉坑，故N欧姆接触层电流集中到P焊接电极覆盖区域之外，导致芯片上N欧姆接触层的电流分布不均匀。
技术实现思路
本专利技术创造要解决的技术问题是如何让LED倒装芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。为此给出LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一 N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一 N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二 N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二 N欧姆接触层与N半导体层触通。有益效果:第二 N欧姆接触层虽然位于P焊接电极覆盖区域，但与P焊接电极相互绝缘以避免短路 ，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接，凭借此结构，LED倒装芯片不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。其中，有位于P焊接电极覆盖区域之外的P外N欧姆接触层在芯片底面连通第二N欧姆接触层，芯片上开有P外沉坑让P外N欧姆接触层与N半导体层触通。其中，所述的P外N欧姆接触层包括所述的第一 N欧姆接触层。其中，第二沉坑中设有绝缘层在侧面围住第二 N欧姆接触层。其中，P外沉坑中设有绝缘层在侧面围住P外N欧姆接触层。其中，第二沉坑中设有绝缘层在侧面围住第二 N欧姆接触层。其中，其中的全部或部分绝缘层延伸至第二 N欧姆接触层与P焊接电极之间，从而兼实现第二 N欧姆接触层与P焊接电极之间的相互绝缘。其中，芯片的P欧姆接触层与N欧姆接触层相邻，全部或部分绝缘层延伸至所对应的N欧姆接触层与相邻的P欧姆接触层之间，从而兼实现所对应的N欧姆接触层与相邻的P欧姆接触层之间的相互绝缘。其中，第二 N欧姆接触层有多个，多个第二 N欧姆接触层在芯片底面互相连通。附图说明图1是LED倒装芯片的底面在焊接电极覆盖之前的示意图。图2是在图1的基础上让焊接电极覆盖之后的示意图。图3是LED倒装芯片局部的层状结构图。图中的附图标记有:P焊接电极9,N焊接电极8,固晶基板89,固晶焊盘90 ; P欧姆接触层5，P金属电极层50，P半导体层52，N半导体层6，N欧姆接触层1，第一 N欧姆接触层11，第一沉坑12，第二 N欧姆接触层21，第二沉坑22，第二沉坑中的绝缘层23，无覆盖N欧姆接触层41，P外N欧姆接触层31，P外沉坑32 ;有源发光层7，衬底70。具体实施例方式LED倒装芯片在焊接电极覆盖之前如图1，让焊接电极8、9覆盖之后如图2，P焊接电极9和N焊接电极8分别覆盖芯片底面的不同区域。N欧姆接触层I包括位于N焊接电极8覆盖区域的第一 N欧姆接触层11、位于P焊接电极9覆盖区域的第二 N欧姆接触层21和位于未覆盖区域的无覆盖N欧姆接触层41。第一 N欧姆接触层11和无覆盖N欧姆接触层41均位于P焊接电极9覆盖区域之外，合称为P外N欧姆接触层31。第二 N欧姆接触层21有三个，其中两个第二 N欧姆接触层21在芯片底面互相连通。P外N欧姆接触层31在芯片底面连通第二 N欧姆接触层21，让第二 N欧姆接触层21局部延伸至P焊接电极9覆盖区域之外以供焊接，尤其地，因为P外N欧姆接触层31包括位于N焊接电极8覆盖区域的第一 N欧姆接触层11，所以只需一次焊接就让第二 N欧姆接触层21和P外N欧姆接触层31 —并接通了。 以下见图2、3，P欧姆接触层5、P半导体层52和有源发光层7位于P焊接电极9与芯片的N半导体层6之间，芯片在P焊接电极9和N半导体层6之间开有第二沉坑22让第二 N欧姆接触层21与N半导体层6触通。在图3显示范围之外，芯片开有P外沉坑32让P外N欧姆接触层31与N半导体层6触通，其中，芯片在N焊接电极8和N半导体层6之间开有第一沉坑12让第一 N欧姆接触层11与N半导体层6触通。如图3，第二沉坑22中设有绝缘层23在侧面围住第二 N欧姆接触层21。在图3显示范围之外，P外沉坑32中设有绝缘层在侧面围住P外N欧姆接触层31，其中，第一沉坑12中设有绝缘层在侧面围住第一N欧姆接触层11。绝缘层在侧面围住N欧姆接触层有利于减小沉坑的横截面积，从而减小有源发光层7面积的损失，让有源发光层7具有较大的发光面积。如果不设置该绝缘层，直接把N欧姆接触层放在沉坑中，N欧姆接触层与沉坑侧边缘之间就需要预留足够的距离以避免短路，沉坑就不得不占用较大的横截面积，有源发光层7因而会有较大面积的损失，并且对上述距离的预留将使得与各沉孔分别对应的不同的N欧姆接触层之间的连通实现起来比较困难。第二沉坑22中的绝缘层23延伸至第二 N欧姆接触层21与P焊接电极9之间(图3的A处)，从而兼实现第二 N欧姆接触层21与P焊接电极9之间的相互绝缘。同理，P外沉坑32中的绝缘层也可以延伸至第二 N欧姆接触层21与P焊接电极9之间，从而兼实现第二 N欧姆接触层21与P焊接电极9之间的相互绝缘，但需延伸的距离相对较长。P欧姆接触层5与N欧姆接触层I相邻(见图1)，为此第二沉坑22中的绝缘层23延伸至所对应的第二 N欧姆接触层21与相邻的P欧姆接触层5之间(图3的B处)，从而兼实现所对应的第二 N欧姆接触层21与相邻的P欧姆接触层5之间的相互绝缘。在图3显示范围之外，P外沉坑32中的绝缘层也可以延伸至所对应的P外N欧姆接触层31与相邻的P欧姆接触层5之间，从而兼实现所对应的P外N欧姆接触层31与相邻的P欧姆接触层5之间的相互绝缘。如图3，固晶焊盘90装在固晶基板89上，与P焊接电极9进行焊接。在图3显示范围之外，另一个固晶焊盘与N 焊接电极8进行焊接。本文档来自技高网...
【技术保护点】
LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。
【技术特征摘要】
1.LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一 N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一 N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二 N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二 N欧姆接触层与N半导体层触通。2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征是，有位于P焊接电极覆盖区域之外的P外N欧姆接触层在芯片底面连通第二 N欧姆接触层，芯片上开有P外沉坑让P外N欧姆接触层与N半导体层触通。3.根据权利要求2所述的LED倒装芯片，其特征是，所述的P外N欧姆接触层包括所述的第一N欧姆接触层。4.根据权利要求1所述的LED倒...
【专利技术属性】
技术研发人员：王维昀，周爱新，毛明华，李永德，马涤非，吴煊梁，
申请(专利权)人：东莞市福地电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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