【技术实现步骤摘要】
本专利技术创造涉及LED倒装芯片。
技术介绍
LED倒装芯片上，P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间。N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有沉坑让N欧姆接触层与N半导体层触通。按常理，P焊接电极覆盖区域不能设置N欧姆接触层和沉坑，故N欧姆接触层电流集中到P焊接电极覆盖区域之外，导致芯片上N欧姆接触层的电流分布不均匀。
技术实现思路
本专利技术创造要解决的技术问题是如何让LED倒装芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。为此给出LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一 N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一 N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二 N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑...
【技术保护点】
LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。
【技术特征摘要】
1.LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一 N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一 N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二 N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二 N欧姆接触层与N半导体层触通。2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征是，有位于P焊接电极覆盖区域之外的P外N欧姆接触层在芯片底面连通第二 N欧姆接触层，芯片上开有P外沉坑让P外N欧姆接触层与N半导体层触通。3.根据权利要求2所述的LED倒装芯片，其特征是，所述的P外N欧姆接触层包括所述的第一N欧姆接触层。4.根据权利要求1所述的LED倒...
【专利技术属性】
技术研发人员：王维昀，周爱新，毛明华，李永德，马涤非，吴煊梁，
申请(专利权)人：东莞市福地电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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