【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
LED倒装芯片的N电极连接结构，芯片底面开有至少两个沉坑穿过P型层和有源发光层通至N半导体层，其特征是：沉坑侧壁和芯片底面设有绝缘层；芯片的N接触层包括沉入部和连接部，沉入部进入沉坑内触通N半导体层，连接部覆盖在芯片底面的绝缘层的表面连起分别位于不同沉坑内的各个沉入部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王维昀，周爱新，毛明华，李永德，马涤非，吴煊梁，
申请(专利权)人：东莞市福地电子材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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