一种新型的GaN基发光二极管表面粗化方法技术

本发明专利技术涉及一种新型的可增加光提取效率的GaN基发光二极管表面粗化方法，该方法包括：在衬底上生长N型GaN材料，发光活化层、P型GaN材料；在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的P型透明电极；在透明电极上制备一层SiO2纳米球；以SiO2纳米球作为掩膜刻蚀P型透明电极，清洗去掉残余SiO2纳米球，获得具有粗化出光表面的LED器件。该发明专利技术可以有效提高二极管的光提取效率，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型的GaN基发光二极管表面粗化方法，其特征在于：该方法的实现步骤如下：(1)在衬底上生长N型GaN材料、发光活化层、P型GaN材料；(2)在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的透明电极；(3)在透明电极上均匀分散一层SiO2纳米球材料；(4)以SiO2纳米球作为掩膜，刻蚀透明电极成粗化表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郝锐，马学进，吴质朴，
申请(专利权)人：江门市奥伦德光电有限公司，
类型：发明
国别省市：