半导体发光器件制造技术

实施方案公开一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：第一导电半导体层；所述第一导电半导体层之下的第一电极层；所述第一导电半导体层的外周部分处的半导体层；所述第一导电半导体层上的有源层；所述有源层上的第二导电半导体层；和所述第二导电半导体层上的第二电极层。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件
技术介绍
实施方案涉及半导体发光器件及其制造方法。第III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性已经广泛用作发光器件如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的主要材料。通常，第III-V族氮化物半导体包括具有组 成式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1和0彡x+y彡1)的半导体材料。LED是一种利用化合物半导体的特性将电信号转变成红外线或光来发射信号的半 导体器件。LED还用作光源。使用氮化物半导体的LED或LD主要用于发光器件以获得光。例如，LED或LD用 作用于各种产品如移动电话的键盘发光部分、电子布告牌和照明装置的光源。
技术实现思路
实施方案提供一种半导体发光器件及其制造方法，其能够减少电流集中到第一导 电半导体层的边缘区域上。实施方案提供一种半导体发光器件及其制造方法，其通过形成在第一导电半导体 层的外周部分形成具有相对低浓度的半导体层而能够减少转移到第一导电半导体层边缘 区域的电流。根据本专利技术的一个实施方案，提供一种半导体发光器件，其包括第一导电半导 体层；在所述第一导电半导体层之下的第一电极层；在所述第一导电半导体层的外周部分 处的半导体层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层之下的第一电极层；在所述第一导电半导体层的外周部分处的半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和在所述第二导电半导体层上的第二电极层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]