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实施方案公开一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：第一导电半导体层；所述第一导电半导体层之下的第一电极层；所述第一导电半导体层的外周部分处的半导体层；所述第一导电半导体层上的有源层；所述有源层上的第二导电半导体层；和所述第二导电半导体...
该专利属于ＬＧ伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＬＧ伊诺特有限公司授权不得商用。

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