半导体发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光器件(A)，其具有简单结构，由此可以容易地并且精确地确认是否发出了紫外线，该半导体发光器件包括：用于发出在紫外或深紫外区域中的紫外线半导体发光元件(1)；帽部分(6)，帽部分在顶部中具有通孔，紫外线通过通孔(63)，帽部分包围半导体发光元件(1)；用于透射紫外线的半透明盖(7)，所述半透明盖设置成密封地封闭所述通孔(63)；及UV激发磷光体(8)，其被紫外线激发并发出可见光，所述UV激发磷光体设置在帽部分(6)的内侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于以紫外线照射的半导体发光器件。
技术介绍
氮化物半导体，典型地如GaN、AIN、InN以及其混和晶体是直接跃迁半导体材料。氮化物半导体的特性是其带隙能量大于基于AlGaInAs半导体或基于AlGaInP半导体。因此，这些氮化物半导体受到关注，作为构成在紫外区域的发光的半导体激光元件、用于在紫外区域或者深紫外区域发光(波长范围是大约320nm到200nm) LED元件以及其它半导体发光元件的材料。 在具有260到280nm的波长的紫外区域或深紫外区域中的光(后面称为紫外线)已知在对水进行消毒方面是有效的。另外，还知道紫外线在水净化、消毒、污染物的高速分解处理、医疗领域等是有效的。利用紫外线的装置可以做得更小并且做成通过使用半导体发光期间而消耗更少的电力，所述半导体发光器件利用半导体发光元件以如上所述那样在紫外到深紫外区域内发光。用于在可见光区域内输出光的半导体发光器件由树脂模便宜地包装起来，所述树脂的光辐射特性容易控制。然而，紫外线被树脂模中所用的树脂吸收，因而光不能高效地输出。树脂被紫外线的强大能量损坏，导致光吸收变强的问题。因此，很难用树脂模来包装在紫外区域发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：半导体发光元件，所述半导体发光元件用于发出具有在紫外或深紫外区域中的波长的紫外线；帽部分，所述帽部分在顶部中具有通孔，紫外线通过所述通孔，所述帽部分包围半导体发光元件；半透明盖，一些或所有紫外线透射通过所述半透明盖，所述半透明盖设置成密封地封闭所述通孔；及UV激发磷光体，所述UV激发磷光体被紫外线激发并发出可见光，所述UV激发磷光体设置在所述帽部分的内侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：太田征孝，神川刚，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：