半导体发光器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体发光器件，所述器件为三明治式夹层结构，所述夹层结构的中间部位为发光体；在所述发光体的两侧，分别依次包括位于所述发光体表面的透明导电导热层，和位于所述透明导电导热层表面的、具有透光窗口的金属层。本实用新型专利技术的半导体发光器件能够使LED器件立式放置并双面发光，提高发光效率，而且不影响器件的散热性能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体照明器件
，具体涉及一种半导体发光器件LED。
技术介绍
半导体发光器件，例如发光二极管，简称LED，是由III-IV族化合物，如GaAs (砷化镓)、GaP (磷化镓)、GaAsP (磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管，其工作原理是PN结的电致发光原理。当二极管电极两端加上一定的正向电压后，二极管中将有大量电子注入，PN结导带上的高能量电子与价带上的空穴发生复合，并将多余的能量以光的形式发射出来，光的颜色和二极管所用的材料有关。发光二极管(LED)作为光源以其功耗低、寿命长、可靠性高等特点，在日常生活中的·许多领域得到了普遍的认可，在电子产品中得到广泛应用，例如电路及仪器中作为指示灯，显示器背光等。以基于宽禁带半导体材料氮化稼(GaN)和铟氮化稼(InGaN)的发光二极管为代表的近紫外线、蓝绿色和蓝色等短波长发光二极管在1990年代后期得到广泛应用，在基础研究和商业应用上取得了很大进步。目前，普遍应用的GaN基发光二极管的典型结构如图I所示，GaN基发光二极管的结构包括蓝宝石衬底10，在衬底10表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，其特征在于：所述器件为三明治式夹层结构，所述夹层结构的中间部位为发光体；在所述发光体的两侧分别、依次包括位于所述发光体表面的透明导电导热层，和位于所述透明导电导热层表面的、具有透光窗口的金属电极层。

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于所述器件为三明治式夹层结构，所述夹层结构的中间部位为发光体； 在所述发光体的两侧分别、依次包括 位于所述发光体表面的透明导电导热层，和 位于所述透明导电导热层表面的、具有透光窗口的金属电极层。2.根据权利要求I所述的发光器件，其特征在于所述透明导电导热层包括玻璃导电导热胶、石墨导电胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：林朝晖，王树林，
申请(专利权)人：泉州市博泰半导体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：