半导体发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录／再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状ｐ侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的ｐ侧电极布置且与第一发光器件的ｐ侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与ｐ侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光器件、光学拾取单元以及记录/再现装置，该半导体 发光器件包括多个发光器件。
技术介绍
近几年，在激光二极管(LD)领域，已经积极地对在相同衬底(或基板)上具有不 同发光波长的多个发光器件部分的多波长激光器件进行开发。例如，多波长激光器件用作 用于光盘单元的光源。在光盘单元中，700nm波段的激光用于⑶(压缩盘)的再现，以及用于如⑶-R(可 记录CD)、⑶-RW(可写入CD)和MD (迷你盘)的可记录光盘的记录和再现。另外，600nm波 段的激光用于DVD (数字通用盘)的记录和再现。通过在光盘单元上安置多波长激光器件， 就变得可以对多种类型的现有光盘进行记录和再现。而且，已经实现了使用以GaN，AlGaN 混合晶体和GaInN混合晶体为代表的氮化物III-V族化合物半导体的短波激光器件(400nm 波段)，且它们致力于例如作为更高密度光盘的光源的短波激光器件的实际应用。通过发展 包括短波激光器件的多波长激光器件，可使应用更广泛。在过去，作为具有如上所述的GaN发光器件部分的三波长激光器件，已经提出了 下述器件(日本专利No. 3486900)。在这种器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过层叠第一发光器件和第二发光器件形成的半导体发光器件，其中：所述第一发光器件包括：条状的第一发光器件部分和条状的第二发光器件部分，彼此平行地形成在第一衬底上；以及条状的第一电极和条状的第二电极，分别向所述第一发光器件部分和所述第二发光器件部分提供电流；所述第二发光器件包括：条状的第三发光器件部分，形成在相对所述第一衬底设置的第二衬底的相对面一侧上；条状的第三电极，向所述第三发光器件部分提供电流；条状的第一相对电极和条状的第二相对电极，分别相对所述第一电极和第二电极布置，并且分别电连接到所述第一电极和第二电极；第一连接衬垫和第二连接衬垫，分别电连接到所述第一相对电极和第二相对电极；以及第三...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：古嶋裕司，阿部博明，工藤久，藤本强，青嶋健太郎，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]