【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光元件的制造方法。
技术介绍
1、以往，已知有介由作为缓冲层的aln层在表面形成有凹凸图案的蓝宝石基板(pss)上形成具有平坦的表面的algan基底层，在其上使iii族氮化物半导体外延生长而形成包含发光层的发光功能部的发光元件的制造方法(参照专利文献1)。
2、根据专利文献1中记载的发光元件的制造方法，通过溅射在pss上形成aln层后，在1150℃以上的温度下实施热处理，由此减少al组成大的algan从pss的凹凸图案的突起的斜面的生长量，在algan基底层的表面不会残留来自pss的凹凸图案的槽，能够使其平坦。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2018-56551号公报
技术实现思路
1、然而，在从pss的突起的斜面生长的algan中产生ga和al的组成的不均匀性。这是因为gan容易在与基板垂直的方向生长(容易c面生长)，与此相对，aln难以迁移，因此优先从突起的斜面生长。因此，根据专利文献1记载的发光元件的制造方法，虽然通过减少algan从凸部的生长量而algan基底层表面变得平坦，但有由于ga和al的组成的不均匀性而algan基底层的透射率下降，发光元件的光提取效率降低的顾虑。
2、本专利技术的目的在于提供一种发光元件的制造方法，是具备由iii族氮化物半导体构成的发光功能部的发光元件的制造方法，能够在pss上形成透射率和表面的平坦性优异的基底层。
3、为了实现上述
4、[1]一种发光元件的制造方法，包括：介由由aln构成的缓冲层在pss上形成由aln构成的基底层的工序，以及在上述基底层上使iii族氮化物半导体外延生长而形成包含发光层的发光功能部的工序；在形成上述基底层的工序中，使原料气体的v/iii比为1.0～2.0的范围内，通过movpe使aln外延生长而形成上述基底层。
5、[2]根据上述[1]所述的发光元件的制造方法，其中，在形成上述基底层的工序中，使原料气体的v/iii比为1.5～2.0的范围内。
6、[3]根据上述[1]或[2]所述的发光元件的制造方法，其中，在形成上述基底层的工序中，通过溅射而形成上述缓冲层。
7、[4]根据上述[1]或[2]所述的发光元件的制造方法，其中，形成上述发光功能部的工序包括：在上述基底层上形成第一algan层的工序，以及在上述第一algan层上形成第二algan层的工序；通过在800℃～1100℃的范围内的生长温度下使n型的algan外延生长而形成上述第一algan层，形成上述第一algan层后，在停止供给上述n型的algan的ga原料气体的状态下，实施30秒以上的800℃～1100℃的范围内的温度下的退火处理后，形成上述第二algan层。
8、[5]根据上述[4]所述的发光元件的制造方法，其中，上述第一algan层的al组成在0.6～0.7的范围内。
9、根据本专利技术，能够提供一种发光元件的制造方法，是具备由iii族氮化物半导体构成的发光功能部的发光元件的制造方法，能够在pss上形成透射率和表面的平坦性优异的基底层。
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1.一种发光元件的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中，在形成所述基底层的工序中，使原料气体的V/III比为1.5～2.0的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件的制造方法，其中，在形成所述基底层的工序中，通过溅射而形成所述缓冲层。
4.根据权利要求1或2所述的发光元件的制造方法，其中，形成所述发光功能部的工序包括：在所述基底层上形成第一AlGaN层的工序，以及在所述第一AlGaN层上形成第二AlGaN层的工序；
5.根据权利要求4所述的发光元件的制造方法，其中，所述第一AlGaN层的Al组成在0.6～0.7的范围内。
【技术特征摘要】
1.一种发光元件的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中，在形成所述基底层的工序中，使原料气体的v/iii比为1.5～2.0的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件的制造方法，其中，在形成所述基底层的工序中，通过溅射而形成所述缓冲层。
【专利技术属性】
技术研发人员：永田贤吾，三轮浩士，坊山晋也，斋藤义树，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：
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