【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及用于制造半导体的图案化工艺。特别地，本公开涉及一种用于制造半导体的图案化工艺，其防止在光致抗蚀剂图案中形成足迹轮廓。
2、多年来，移动装置、作为物联网(iot)一部分的装置和可穿戴电子设备已经变得更小、更轻且更薄的装置，尽管它们越来越小型化，但它们使用了更大的量的内存并且执行了越来越多的计算。
3、这些电子装置的制造和封装在尺寸减小方面充当重要角色。例如，倒装芯片封装方法已经被用于增加装置(尤其用于微加工单元(mpu)和动态随机存取存储器(dram)半导体芯片)之间的i/o(输入/输出)连接的密度。
4、金属柱凸点，例如像铜柱凸点经常被用作用于电子和光电封装的倒装芯片互连，所述电子和光电封装包括：cpu和gpu集成电路(芯片)、激光二极管、和半导体光放大器(soa)的倒装芯片封装。金属柱凸点提供了有益的连接电阻、高密度连接、金属迁移阻力和散热特性。金属线图案也可被用于例如再分布层(rdl)中，以提供两个部件之间的电连接。
5、电镀覆已被用于制造金属柱凸点阵列和线图案。在铜膜表面上涂覆光致抗蚀剂层，并且然后使用光刻法制作掩模图案。然后通过在掩模图案的开放区域中电镀覆来在金属表面上形成金属结构。然后去除光致抗蚀剂并且将先前被抗蚀剂覆盖的金属层通过蚀刻去除。
6、制备镀覆掩模图案的一种方法是使用厚的光致抗蚀剂层，以响应进一步增加i/o和装置密度所需要的更厚且更窄的图案尺寸。化学放大的光致抗蚀剂对于实现更高的分辨率图案所需的更快的灵敏度和改善的透明度可
7、抗蚀剂图案中的足迹导致经镀覆图案中的底切轮廓。这会促进下游加工过程中经镀覆图案的塌陷。因此，需要消除用作镀覆掩模的光致抗蚀剂图案的足迹，并提供底切抗蚀剂图案轮廓以克服经镀覆图案的塌陷。
技术实现思路
1、本文公开了一种金属化方法，其包括(a)在基底的第一表面上提供光致抗蚀剂层，其中该光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，该光致抗蚀剂组合物包含：包含酸不稳定基团的聚合物；光酸产生剂；有机膦酸；和溶剂；(b)将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；(c)用碱性显影剂对经暴露的光致抗蚀剂层进行显影以形成光致抗蚀剂图案：以及(d)在形成该光致抗蚀剂图案之后，使用该光致抗蚀剂图案作为镀覆掩模在该基底的第一表面上镀覆金属。
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1.一种金属化方法，其包括：
2.如权利要求1所述的金属化方法，其中，所述光致抗蚀剂图案具有底切轮廓。
3.如权利要求1或2所述的金属化方法，其进一步包括(e)在镀覆所述金属后去除所述光致抗蚀剂。
4.如权利要求1至3中任一项所述的金属化方法，其中，所述光致抗蚀剂层直接设置在金属层上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的金属化方法，其中，所述光致抗蚀剂层具有大于2微米的厚度。
6.如权利要求1至5中任一项所述的金属化方法，其中，所述有机膦酸为苯基膦酸。
7.如权利要求1至5中任一项所述的金属化方法，其中，所述有机膦酸以每100份所述包含酸不稳定基团的聚合物0.01重量份至0.50重量份的量存在于所述光致抗蚀剂层中。
8.如权利要求1至7中任一项所述的金属化方法，其中，所述酸不稳定基团选自叔酯基团、缩醛基，或它们的组合。
9.如权利要求1至8中任一项所述的金属化方法，其中，所述聚合物进一步包含由乙烯基芳香族单体形成的重复单元。
10.如权利要求1至9中任一项所述的金属化方法，
11.如权利要求10所述的金属化方法，其中，所述碱性化合物选自叔胺化合物。
...【技术特征摘要】
1.一种金属化方法，其包括：
2.如权利要求1所述的金属化方法，其中，所述光致抗蚀剂图案具有底切轮廓。
3.如权利要求1或2所述的金属化方法，其进一步包括(e)在镀覆所述金属后去除所述光致抗蚀剂。
4.如权利要求1至3中任一项所述的金属化方法，其中，所述光致抗蚀剂层直接设置在金属层上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的金属化方法，其中，所述光致抗蚀剂层具有大于2微米的厚度。
6.如权利要求1至5中任一项所述的金属化方法，其中，所述有机膦酸为苯基膦酸。
7.如权利要求1至5中任一项所述的金属化方...
【专利技术属性】
技术研发人员：羽賀満，C·刘，J·F·卡梅隆，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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