驱动基板及显示面板制造技术

技术编号：40271565 阅读：10 留言：0更新日期：2024-02-02 22:57

本申请实施例公开了一种驱动基板及显示面板，本申请实施例的驱动基板的薄膜晶体管中，在靠近输出电极的区域采用第二有源层的部分、第一有源层、第一栅极和第一子栅形成双栅双有源层结构，在靠近输入电极的区域采用第二有源层的部分、第二子栅形成单有源层顶栅结构；由于第一栅极和第二栅极共同控制第一有源层的第一沟道和第二有源层的第二沟道的第一部分，故降低该部分区域的电阻和电压降，进而在工作状态时减弱该区域的电场强度，从而抑制热载流子的运动，达到提高薄膜晶体管阈值电压(Vth)的稳定性。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，具体涉及一种驱动基板及显示面板。

技术介绍

1、在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的专利技术人发现，mini-led或micro-led面板的薄膜晶体管是顶栅型时，薄膜晶体管的栅极在大电压工作下，比如在30伏左右电压下工作，薄膜晶体管区域的温度可高达150摄氏度以上，在这样的高电压工作下，有源层的氧化物半导体中热载流子会劣化，进而导致阈值电压(vth)发生偏移。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种驱动基板及显示面板，可以在工作条件下，提高薄膜晶体管阈值电压(vth)的稳定性。

2、本申请实施例提供一种驱动基板，其包括：

3、基底；

4、第一栅极，所述第一栅极设置在所述基底上；

5、第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基底上且覆盖所述第一栅极；

6、第一有源层，所述第一有源层设置在所述第一绝缘层上，所述第一有源层包括第一沟道，所述第一沟道与所述第一栅极重叠设置，所述第一有源层的材料包括氧化物半导体；

7、第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道、第一接触部和第二接触部，所述第二沟道包括相连的第一部分和第二部分，所述第一接触部连接于所述第一部分远离所述第二部分的一侧，所述第二接触部连接于所述第二部分远离所述第一部分的一侧；所述第一部分直接连接在所述第一沟道上；所述第二部分与所述第一沟道均附着在所述第一绝缘层上，且设置于所述第一沟道和所述第一栅极的外周侧，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体；</p>

8、第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第二有源层上；

9、第二栅极，所述第二栅极设置在所述第二绝缘层上，所述第二栅极包括相连的第一子栅和第二子栅，所述第一子栅与所述第一部分重叠设置，所述第二子栅与所述第二部分重叠设置；以及

10、输入电极和输出电极，所述输出电极连接于所述第一接触部，所述输入电极连接于所述第二接触部。

11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一接触部与所述第一沟道均附着在所述第一绝缘层上，且连接于所述第一沟道的侧面。

12、可选的，在本申请的一些实施例中，以所述第一绝缘层的上表面为基准，所述第一接触部的部分与所述第一沟道的侧面重叠设置，且所述第一接触部的部分的高度大于所述第一沟道的高度。

13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源层还包括连接于所述第一沟道一侧的第三接触部，所述第一接触部叠设连接在所述第三接触部上。

14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一接触部和所述第二接触部的电阻值均小于所述第一沟道和所述第二沟道的电阻值。

15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一接触部的掺杂浓度高于所述第二接触部的掺杂浓度。

16、可选的，在本申请的一些实施例中，在所述驱动基板的正投影图案中，所述第一子栅的投影和所述第一栅极的投影均完全覆盖所述第一沟道的投影和所述第一部分的投影。

17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一沟道的长度为所述第二沟道的长度的15％～30％。

18、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源层的载流子浓度小于或等于所述第二有源层的载流子浓度。

19、相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，其包括如上述任一实施例所述的驱动基板和设置在所述驱动基板上的发光器件，所述发光器件连接于所述输出电极。

20、有益效果：

21、本申请实施例的驱动基板的薄膜晶体管中，在靠近输出电极的区域采用第二有源层的部分、第一有源层、第一栅极和第一子栅形成双栅双有源层结构，在靠近输入电极的区域采用第二有源层的部分、第二子栅形成单有源层顶栅结构；由于第一栅极和第二栅极共同控制第一有源层的第一沟道和第二有源层的第二沟道的第一部分，故降低该部分区域的电阻和电压降，进而在工作状态时减弱该区域的电场强度，从而抑制热载流子的运动，达到提高薄膜晶体管阈值电压(vth)的稳定性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一接触部与所述第一沟道均附着在所述第一绝缘层上，且连接于所述第一沟道的侧面。

3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，以所述第一绝缘层的上表面为基准，所述第一接触部的部分与所述第一沟道的侧面重叠设置，且所述第一接触部的部分的高度大于所述第一沟道的高度。

4.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一有源层还包括连接于所述第一沟道一侧的第三接触部，所述第一接触部叠设连接在所述第三接触部上。

5.根据权利要求2至4任意一项所述的驱动基板，其特征在于，所述第一接触部和所述第二接触部的电阻值均小于所述第一沟道和所述第二沟道的电阻值。

6.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，所述第一接触部的掺杂浓度高于所述第二接触部的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，在所述驱动基板的正投影图案中，所述第一子栅的投影和所述第一栅极的投影均完全覆盖所述第一沟道的投影和所述第一部分的投影。

8.根

9.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一有源层的载流子浓度小于或等于所述第二有源层的载流子浓度。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9所述的驱动基板和设置在所述驱动基板上的发光器件，所述发光器件连接于所述输出电极。

...

【技术特征摘要】

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一接触部与所述第一沟道均附着在所述第一绝缘层上，且连接于所述第一沟道的侧面。

5.根据权利要求2至4任意一项所述的驱动基板，其特征在于，所述第一接触部和所述第二接触部的电阻值均小于所述第一沟道和所述第二沟道的电阻值...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人