【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于光致抗蚀剂组合物的光活性化合物以及使用此类光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。本专利技术在半导体制造工业中在光刻应用中找到了可用性。
技术介绍
1、光致抗蚀剂材料是典型地用于将图像转移到布置在半导体基底上的一个或多个下层,如金属、半导体或介电层上的光敏感组合物。为了增加半导体装置的集成密度并且允许形成具有在纳米范围内的尺寸的结构,已经并且继续开发具有高分辨率能力的光致抗蚀剂和光刻处理工具。
2、化学增强的光致抗蚀剂通常用于高分辨率处理。此类抗蚀剂典型地采用具有酸不稳定基团的聚合物、光酸产生剂和酸淬灭材料。通过光掩模以图案方式暴露于活化辐射使酸产生剂形成酸,在暴露后烘烤期间,该酸使在聚合物的暴露区域中的酸不稳定基团裂解。通常将酸淬灭材料添加到光致抗蚀剂组合物中来控制酸向未暴露区域的扩散,以改善对比度。光刻工艺的结果是在显影剂溶液中抗蚀剂的暴露与未暴露区域之间产生溶解度特性的差异。在正性显影(ptd)过程中,光致抗蚀剂层的暴露区域可溶于显影剂中并且从基底表面除去,而不溶于显影剂的未暴露区域在显影后保留以形成正像。所
...【技术保护点】
1.一种光活性化合物,其包含:
2.如权利要求1所述的光活性化合物,其中,X包含直接附接至式(1)中的N–的吸电子基团。
3.如权利要求1或2所述的光活性化合物,其中,X是由式(2a)至(2c)之一表示的部分:
4.如权利要求1至3中任一项所述的光活性化合物,其中,所述由式(1)表示的阴离子不含氟。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光活性化合物,其中,所述阴离子包含一个或多个酸不稳定基团。
6.如权利要求1至5中任一项所述的光活性化合物,其中:
7.如权利要求1至6中任一项所述的光活性化合物,其
...【技术特征摘要】
1.一种光活性化合物,其包含:
2.如权利要求1所述的光活性化合物,其中,x包含直接附接至式(1)中的n–的吸电子基团。
3.如权利要求1或2所述的光活性化合物,其中,x是由式(2a)至(2c)之一表示的部分:
4.如权利要求1至3中任一项所述的光活性化合物,其中,所述由式(1)表示的阴离子不含氟。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光活性化合物,其中,所述阴离子包含一个或多个酸...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·阿卡德,T·马兰戈尼,岑寅杰,P·J·拉博姆,李明琦,J·F·卡梅伦,
申请(专利权)人:罗门哈斯电子材料有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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