一种真空半导体三极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种真空半导体三极管，包括顶板、支架、底板、灯丝、阴极、栅极、屏极、管壳和管脚，所述灯丝设置在所述底板上，所述支架连接所述顶板和底板，所述灯丝外侧设置有阴极，所述栅极设置于所述阴极外侧，所述屏极设置于所述阴极外侧，所述阴极为条形片状，所述栅极为螺旋形状，所述屏极为环形筒状；所述阴极、栅极设置在底板上，所述屏极设置在所述支架上，所述顶板、支架、底板、灯丝、阴极、栅极、屏极均设置于所述管壳内部，所述管脚通过所述底板与所述灯丝、阴极、栅极和屏极相连接。本实用新型专利技术的优点在于：该三极管的阴极和栅极、栅极和阳极之间距离小，工作电流不会导致屏极升温，工作稳定性更高，且三极管体积更小，效率高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及三极管领域，特别是一种真空半导体三极管。
技术介绍
多极的真空管是由二极管演变而来的，具有共同的基本结构和原理，真空半导体三极管也是如此。三极管中的灯丝会把阴极加热至红热，把阴极的原子转为激发态，阴极是接上电池组负极，而负极是倾向放出电子，由于阴极的原子被加热至激发态，所以当被接出高的负电压会射出电子；由于阳极被接到正极，所以就形成了电势差。所以，带负电荷的电子就会由阴极跳去阳极；电子从阴极走向阳极，形成了电流。三极管中的栅极像一道放在阴极和阳极之间的闸，电子是带负电荷的，由于同性相拒，只要把栅极接上负电压，就可以控制电子的流量。真空管内需要被抽真空的原因在于，电子在于其放射过程中，因会与空气中之组成分子相撞而产生阻力，因此电子经由如空气之类的介质来移动的话，将会比在真空状态来的困难，所以若想轻松的达成电子放射之移动过程，需将产生电子放射及电子收集之各项元件，也就是灯丝、阴极、栅极、屏极等封装于玻璃管内，且将其内部成为真空状态，才能使电子之放射动作达成最高效率，而此玻璃管也就是所谓的真空管。若然真空度不足，更会发出蓝光和严重影响真空管之工作表现。发出蓝光的原因是被阴极射出的电子击打管中的空气，令空气的原子被激发至激态。真空三极管除了可以处于“放大”状态外，还可分别处于“饱和”与“截止”状态。“饱和”即从阴极到屏极的电流完全导通，相当于开关开启；“截止”即从阴极到屏极没有电流流过，相当于开关关闭。两种状态可以通过调整栅极上的电压进行控制。因此真空三极管可以充当开关器件，其速度要比继电器快成千上万倍。通常，真空半导体三极管的高温阴极发射出来的电子容易在阴极周围形成一定密度的电子云，同时，由于阴极和屏极之间间距较大，电子密度小，为了获得工作电流，则需要较高的电子流速度向屏极，此时高速的电子流易导致屏极升温，影响其工作的稳定性，使得真空三极管效率低、体积大。因此，新型的真空半导体三极管亟待开发，以完善其性能。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供的一种真空半导体三极管，该三极管的阴极和栅极、栅极和阳极之间距离小，工作电流不会导致屏极升温，工作稳定性更高，且三极管体积更小，效率高。为了实现上述目的，本技术所设计的一种真空半导体三极管，包括顶板、支架、底板、灯丝、阴极、栅极、屏极、管壳和管脚，所述灯丝设置在所述底板上，所述支架连接所述顶板和底板，所述灯丝外侧设置有阴极，所述栅极设置于所述阴极外侧，所述屏极设置于所述阴极外侧，所述阴极为条形片状，所述栅极为螺旋形状，所述屏极为环形筒状；所述阴极、栅极设置在底板上，所述屏极设置在所述支架上，所述顶板、支架、底板、灯丝、阴极、栅极、屏极均设置于所述管壳内部，所述管脚通过所述底板与所述灯丝、阴极、栅极和屏极相连接。更进一步的，一种真空半导体三极管，所述管壳内部为真空。更进一步的，一种真空半导体三极管，所述顶板上设置有吸气剂。本技术得到的一种真空半导体三极管,该三级管的灯丝设置于整个管壳内部的中心位置，采用直热式设计，阴极设置于灯丝两侧，栅极则通过螺旋结构设置于阴极周围，降低了阴极周围电子云的密度，同时使电流形成时不会引起屏极升温，顶板上设置有吸气剂，可以保证真空管内部的真空度，提高了产品的稳定性。本技术的优点在于：该三极管的阴极和栅极、栅极和阳极之间距离小，工作电流不会导致屏极升温，工作稳定性更高，且三极管体积更小，效率高。附图说明图1是实施例的结构示意图。图2是实施例的俯视剖面结构示意图。图中：顶板1、支架2、底板3、灯丝4、阴极5、栅极6、屏极7、管壳8、管脚9、吸气剂10。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。实施例：如图所示，一种真空半导体三极管，包括顶板1、支架2、底板3、灯丝4、阴极5、栅极6、屏极7、管壳8和管脚9，所述灯丝4设置在所述底板3上，所述支架2连接所述顶板1和底板3，所述灯丝4外侧设置有阴极5，所述栅极6设置于所述阴极5外侧，所述屏极7设置于所述阴极5外侧，所述阴极5为条形片状，所述栅极6为螺旋形状，所述屏极7为环形筒状；所述阴极5、栅极6设置在底板3上，所述屏极7设置在所述支架2上，所述顶板1、支架2、底板3、灯丝4、阴极5、栅极6、屏极7均设置于所述管壳8内部，所述管脚9通过所述底板3与所述灯丝4、阴极5、栅极6和屏极7相连接。更进一步的，一种真空半导体三极管，所述管壳8内部为真空。更进一步的，一种真空半导体三极管，所述顶板1上设置有吸气剂10。本实施例得到的一种真空半导体三极管,该三级管的灯丝设置于整个管壳内部的中心位置，采用直热式设计，阴极设置于灯丝两侧，栅极则通过螺旋结构设置于阴极周围，降低了阴极周围电子云的密度，同时使电流形成时不会引起屏极升温，顶板上设置有吸气剂，可以保证真空管内部的真空度，提高了产品的稳定性。本实施例的优点在于：该三极管的阴极和栅极、栅极和阳极之间距离小，工作电流不会导致屏极升温，工作稳定性更高，且三极管体积更小，效率高。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，其架构形式能够灵活多变，只是做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空半导体三极管，包括顶板（1）、支架（2）、底板（3）、灯丝（4）、阴极（5）、栅极（6）、屏极（7）、管壳（8）和管脚（9），其特征在于：所述灯丝（4）设置在所述底板（3）上，所述支架（2）连接所述顶板（1）和底板（3），所述灯丝（4）外侧设置有阴极（5），所述栅极（6）设置于所述阴极（5）外侧，所述屏极（7）设置于所述阴极（5）外侧，所述阴极（5）为条形片状，所述栅极（6）为螺旋形状，所述屏极（7）为环形筒状；所述阴极（5）、栅极（6）设置在底板（3）上，所述屏极（7）设置在所述支架（2）上，所述顶板（1）、支架（2）、底板（3）、灯丝（4）、阴极（5）、栅极（6）、屏极（7）均设置于所述管壳（8）内部，所述管脚（9）通过所述底板（3）与所述灯丝（4）、阴极（5）、栅极（6）和屏极（7）相连接。

【技术特征摘要】
1.一种真空半导体三极管，包括顶板（1）、支架（2）、底板（3）、灯丝（4）、阴极（5）、栅极（6）、屏极（7）、管壳（8）和管脚（9），其特征在于：所述灯丝（4）设置在所述底板（3）上，所述支架（2）连接所述顶板（1）和底板（3），所述灯丝（4）外侧设置有阴极（5），所述栅极（6）设置于所述阴极（5）外侧，所述屏极（7）设置于所述阴极（5）外侧，所述阴极（5）为条形片状，所述栅极（6）为螺旋形状，所述屏极（7）为环形筒状；所述阴极（5）、栅极（6）设置在底板...

【专利技术属性】
技术研发人员：许霞林，
申请(专利权)人：深圳市九鼎安电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44