一种半导体MEMS真空封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体MEMS真空封装结构，包括半导体MEMS芯片、片状密封盖，半导体MEMS芯片与片状密封盖焊接在一起，半导体MEMS芯片上设有环形金属化区域，在环形金属化区域的内侧设有金属焊盘，半导体MEMS芯片中间区域为MEMS敏感区域；片状密封盖上设有密封盖环形金属化区域，密封盖环形金属化区域的外侧设有外侧金属焊盘，密封盖环形金属化区域的内侧设有内侧金属焊盘，外侧金属焊盘与内侧金属焊盘的数量相同，且一一对应电连接，片状密封盖上的密封盖环形金属化区域的内侧设有薄膜吸气剂，片状密封盖的中央区域为通光区域；这种半导体MEMS芯片级封装也可以以晶圆方式进行，片状密封盖也可以制作成晶圆，与半导体MEMS芯片晶圆一一对应进行密封焊接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体MEMS真空封装结构，包括半导体MEMS芯片或半导体MEMS芯片晶圆、片状密封盖或片状密封盖晶圆，所述半导体MEMS芯片与片状密封盖焊接在一起，或半导体MEMS芯片晶圆与片状密封盖晶圆焊接在一起，其特征在于：所述半导体MEMS芯片或半导体MEMS芯片晶圆上设有环形金属化区域，在环形金属化区域的内侧设有金属焊盘，半导体MEMS芯片或半导体MEMS芯片晶圆中间区域为MEMS敏感区域；所述片状密封盖或片状密封盖晶圆上设有密封盖环形金属化区域，所述密封盖环形金属化区域的外侧设有外侧金属焊盘，所述密封盖环形金属化区域的内侧设有内侧金属焊盘，所述密封盖或密封盖晶圆环形金属化区域的外侧金属焊盘与内...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊笔锋，马宏，王宏臣，江斌，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术有限公司，
类型：发明
国别省市：