【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造
，具体 地说是涉及一种三碲化ニ铋结晶的装置，也就是ー种半导体真空加热管。
技术介绍
现有技术中，半导体真空加热管使用的是一端开孔的，将半导体原料放置其中，抽真空封闭死，这样的真空管具有封闭时费劲、浪费燃料、封闭效果欠佳的缺点。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述缺点，提供ー种封闭简单、效果好、节省原材料的半导体真空加热管。本技术的技术方案是这样实现的一种半导体真空加热管，其特征是它包括一管和ニ管，一管和ニ管都是一端开ロ另一端闭ロ的盲管，在一管和ニ管的开ロ处具有相互啮合的结构。进ー步的讲，所述的一管或ニ管至少其ー在开ロ处具有啮合的双层结构。进ー步的讲，所述的一管或ニ管其一的长度是5-10厘米。本技术的有益效果是这样结构的半导体真空加热管具有封闭简单、效果好、节省原材料的优点。附图说明图I是本技术半导体真空加热管的剖面结构示意图。其中1、一管2、ニ管。具体实施方式以下结合附图对本技术作进ー步的描述。如图I所示，一种半导体真空加热管，其特征是它包括一管I和ニ管2，一管I和ニ管2都是一端开ロ另一端闭ロ的盲管，在一管I和ニ管2的开ロ处具有相互哨合的结构。进ー步的讲，所述的一管I或ニ管2至少其ー在开ロ处具有啮合的双层结构。这样就很容易完好封闭。进ー步的讲，所述的一管I或ニ管2其一的长度是5 — 10厘米。这样这个管可以作为盖子，具有減少破损的优点。权利要求1.一种半导体真空加热管，其特征是它包括一管和ニ管，一管和ニ管都是一端开ロ另一端闭ロ的盲管，在一管和ニ管的开ロ处具有相互哨合的结构。2.根据权利要求I所述的半导体真空加热管，其特征是所述...
【技术保护点】
一种半导体真空加热管，其特征是：它包括一管和二管，一管和二管都是一端开口另一端闭口的盲管，在一管和二管的开口处具有相互啮合的结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宝成，
申请(专利权)人：河南恒昌电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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