【技术实现步骤摘要】
本技术属于单晶生长
，特别是涉及感应加热物理气相传输生长单晶的装置。
技术介绍
感应加热物理气相传输法生长单晶时，需要使用高熔点材料(例如高纯石墨、金属钽、钨等)制作坩埚，用来盛装料源(放在埚底)和籽晶(装在埚盖内表面)。目前一般都是用一个坩埚(以下简称为“单坩埚”)，既作发热体、又作生长腔，结构比较简单。但是，为了满足发热和温场的要求，单坩埚的尺寸需要做得比单纯装料所需的坩埚尺寸大很多，而取出 生成的单晶时，一般只能破坏坩埚。因此，单坩埚只能一次性使用，这导致高熔点坩埚材料消耗大、坩埚成本高。另外，单坩埚每次出炉的时容易蹭掉一些紧贴其外壁的保温材料，再次装炉时需要补充，甚至重新加工保温筒。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有单坩埚造成的坩埚一次性使用、成本高的缺陷，提供了一种双坩埚装置，其中的外坩埚可多次使用，操作方便、成本降低。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案一种双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置，包括保温筒，在所述保温筒内设有外坩埚，在所述外坩埚内设有内坩埚，单晶原料与籽晶位于内坩埚内。所述内坩埚设有用于放置籽晶的埚盖。本技...
【技术保护点】
一种双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置，包括保温筒，其特征在于：在所述保温筒内设有外坩埚，在所述外坩埚内设有内坩埚，内外坩埚同轴，单晶原料与籽晶位于内坩埚内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：倪代秦，吴星，赵岩，何丽娟，王雷，杨巍，马晓亮，李晋，
申请(专利权)人：北京华进创威电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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