本实用新型公开了一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件，该GaN HEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层，该器件具有线宽更窄的栅凹槽。本实用新型实现了亚微米以下尺寸的栅，突破了光刻设备的关键尺寸限制，并且工艺简单可控。

本发明提供了一种采用高纯半绝缘碳化硅衬底生长氮化铝晶体的方法，不单为目前氮化铝晶体生长亟待需求的模板衬底提供解决思路，且有效降低因异质衬底而导致的氮化铝晶体中异类原子的增多。该方法主要有高纯半绝缘碳化硅衬底粘结、高质量氮化铝晶体生长、异...

本发明公开了一种增强型GaN基高电子迁移率晶体管材料结构，所述晶体管材料结构从下至上依次包括：衬底、成核层、缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和铟镓氮盖帽层。本发明在AlGaN/GaN异质结上增加一InGaN帽层，利用In...

本发明公开了一种在位生长介质层作为帽层的HEMT结构，该HEMT结构从下至上依次包括：SiC衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、盖帽层和介质层；其中，所述介质层为SiN层，其厚度不超过300μm；本发明还公开了该HEMT结构的...

本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，本发明在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，通过在Si衬底上外延生长一层氮化物复合缓冲层，该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配，并阻止回熔刻蚀反应。通过在GaN过渡层上生长一组超晶格，该超晶格可以...

本发明公开了一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法，本发明在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法采用高温离子注入的方法，在导电SiC衬底的表面注入V杂质，注入深度在100‑200μm范围内，接着采用金属有机物气相沉积法，在S...

本实用新型公开了一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构，该元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层，GaN缓冲层，n型重掺杂GaN层，n型GaN层，p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以...

本发明公开了一种低成本的氮化铝晶体生长方法，该方法使用石墨坩埚取代碳化钽坩埚，在石墨坩埚内衬一层碳化钽金属壳层，隔绝石墨坩埚，以防止被铝蒸汽腐蚀，坩埚内部使用带有孔的氮化铝陶瓷挡板将比表面积较大颗粒尺寸较小的氮化铝粉体料源夹在石墨坩埚和...

本发明公开了一种氮化铝衬底制备及扩径生长方法，该方法方法主要包括有：元晶制备、元晶粘结、元晶组固化、衬底epi‑ready级加工、衬底高温预处理以及模板生长等步骤。本申请的方法能够克服氮化铝单晶生长过程中衬底匮乏、衬底质量差等问题，氮化...

本发明公开了一种新型氮化铝自成核生长方法，该方法包括：1)氮化铝自成核生长的前期升温过程采用保护层对料源和晶体生长点进行隔离，将保护层插在籽晶盖和料源之间；2)从1850℃‑2150℃温度区间，以40℃/h的速率慢速升温到氮化铝成核窗口...

本发明公开了一种高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，该方法制备的高纯多孔氮化铝雏晶料源具有纯度高、孔隙率均匀可控的优点，本发明有效解决了物理气相沉积(PVT)生长氮化铝单晶所需的雏晶料源问题；且本发明方法制备简单，原始粉料有效利用率高，雏晶...

本发明公开了一种氮化铝晶体生长用同质衬底制备及扩径生长方法，该方法方法主要包括有：元晶制备、衬底制备、晶体生长等步骤。本申请的方法不单克服氮化铝晶体生长过程中没有同质衬底的关键问题，还可以使用金属加热器‑保温结构进行制备高质量氮化铝单晶...

本实用新型公开了一种具有二维电子气去噪屏蔽环的AlGaN紫外探测器，该探测器从下至上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN高掺杂背面导电层、非掺杂GaN层、n型AlGaN有源耗尽区以及p型AlGaN雪崩结；非掺杂GaN层与n型AlGaN...

本实用新型公开了一种新型半导体单晶片应力检测仪，其包括机箱，机箱的上端面左右两侧各设置一条x轴电控滑轨，两条x轴电控滑轨上横向设置有y轴电控滑轨，y轴电控滑轨通过其底部的x轴滑块与x轴电控滑轨滑动连接；y轴电控滑轨上设置有单晶片固定云台...

本发明公开了一种高质量氮化铝单晶的生长方法，该方法中初始沉积层采用大氮化铝/碳化硅混合填料模式，随后采用高纯氮化铝粉料，生长过程中变温变压，在坩埚中氮化铝填料层从下到上第一层为氮化铝粉料层，第二层为氮化铝烧结后颗粒层，第三层为氮化铝和碳...

本发明公开了一种多片碳化硅热解石墨烯制备方法，所述方法包括如下步骤：1)将多片SiC衬底清洗后置于退火架上；2)采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的表面生长厚度均匀的石墨烯。本发明根据SiC热分解原理，通过退火工装结构设计与温场模...

本发明公开了一种低应力氮化铝晶体的生长方法，该生长方法通过在生长过程中通过变温变压的方式，实现AlN晶体快速二维模式生长，降低了氮化铝单晶的应力。得到晶体生长面不包含裂纹且含有自然生长台阶的氮化铝体单晶。本申请采用控温工艺，生长过程中特...

本实用新型公开了一种具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，源极通过金属材料与石墨烯掩埋散热层连接；器件采用纵向栅极结构，将传统的HEMT器件中长的横向沟道开启模式转变成短的纵向沟道开启模式，栅极由长的横向电流控制沟道转...

本实用新型公开了一种GaN MIS沟道HEMT器件，所述HEMT器件的材料结构包括衬底以及依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。此外，本实用新型还公开了该HEMT器件的制备方...

本实用新型公开了一种复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构及器件，制作该器件的半导体材料为GaN外延片或单晶片，衬底可以是Si，SiC或者蓝宝石等，器件表面在栅和漏之间的钝化层为复合钝化层，如图1所示，在栅场板底下的钝化层淀积或生...