一种蓝宝石衬底制造技术

本实用新型专利技术涉及一种蓝宝石衬底，包括衬底本体，所述的衬底本体正面粗糙度小于等于0.15nm。采用本实用新型专利技术表面粗糙度≤0.15nm，表面无加工应力，无表面损伤层和亚表面损伤层，GaN异质外延的结晶质量高，外延生长的GaN半高宽达到20弧秒以下。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED照明应用领域，尤其是一种蓝宝石衬底。
技术介绍
LED照明产业技术发展的基石是衬底材料，目前能用于LED生产的衬底最主要的是蓝宝石A1203衬底。随着白光LED进入家庭将逐步取代传统照明，对LED发光性能要求越来越高，对蓝宝石衬底的表面粗糙度要求也越来越高。目前，做LED外延的蓝宝石衬底的表面粗糙度一般要求O. 3nm以下，平片衬底存在少量的亚表面损伤层，外延的GaN薄膜质量不高，半高宽(FWHM)均在25弧秒以上。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种表面粗糙度较低的蓝宝石衬底。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种蓝宝石衬底，包括衬底本体，所述的衬底本体正面粗糙度小于等于O. 15nm。进一步的说，本技术所述的衬底本体表面无加工应力，表面无表面损伤层和亚表面损伤层。外延生长的GaN薄膜质量半高宽达到20弧秒以下。本技术的有益效果是，解决了
技术介绍
中存在的缺陷，表面粗糙度< O. 15nm,表面无加工应力，无表面损伤层和亚表面损伤层，GaN异质外延的结晶质量高，外延生长的GaN半高宽达到20弧秒以下。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。图I是本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝宝石衬底，包括衬底本体，其特征在于：所述的衬底本体正面粗糙度小于等于0.15nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石剑舫，
申请(专利权)人：江苏鑫和泰光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：