本实用新型涉及一种粘棒工装，包括基座、挡板、定位螺丝和导轨，所述的定位螺丝垂直安装在所述的挡板上，定位螺丝平行于所述的基座。采用本实用新型能够保证多根晶体在切割时保证晶向的一致性。

本实用新型涉及一种晶棒的一种粘棒工装，包括基座、挡板、定位螺丝、导轨、连接杆、刻度表和滑块，平面基座上固定两块挡板，挡板上安装一定数目的、同一高度定位螺丝，两个平行导轨固定于基座上，滑块可以在导轨上自由滑动，千分表通过连接杆与滑块固定。...

本实用新型涉及一种蓝宝石衬底，包括衬底本体，所述的衬底本体为两端横截面为矩形的圆片。本实用新型生长过程中，石墨基座转动带动衬底转动，衬底与石墨基座凹槽边缘无接触，减少衬底边缘对接触部分碳化硅保护层的破坏，从而延长石墨基座的使用寿命。

本实用新型涉及一种太阳能电池组件，包括长边框和短边框，所述的长边框与短边框通过连接件固定连接，所述的连接件为直角部件，所述的两条直角边上设置有漏水槽。本实用新型通过在边框内设置漏水槽，存积在边框中的雨水、露水会从漏水槽中流出，使电池板单...

本实用新型涉及一种太阳能光伏组件，包括组件框架以及设置在框架内的太阳能电池片，所述的组件框架为向下凹进的槽体，凹进的厚度为0.5~1cm，所述的太阳能电池片通过胶黏剂封装在组件框架内，所述的组件框架为透明框架。

本实用新型涉及一种蓝宝石衬底，包括衬底本体，所述的衬底本体正面粗糙度小于等于0.15nm。采用本实用新型表面粗糙度≤0.15nm，表面无加工应力，无表面损伤层和亚表面损伤层，GaN异质外延的结晶质量高，外延生长的GaN半高宽达到20弧秒...

本实用新型涉及一种蓝宝石晶片，其背面粗糙度要求为0.6~0.8微米，采用该规格粗糙度的晶片在做图形化衬底（PSS）时，晶片和匀曝机的载台结合紧密，做PSS的成品率比较高，同时，该背粗的蓝宝石晶片易于清洗。

本实用新型涉及一种单晶硅硅棒，包括硅棒本体，所述的硅棒本体的两侧设置有向下延伸的档条，所述的档条内侧设置有胶粘条。本实用新型通过档条和胶粘条将硅棒固定在切割台面上，能防止切割线抖动，使进刀尺寸一致，切割的硅片厚度均匀，提高了成品率。

本实用新型涉及一种蓝宝石衬底晶片，包括晶片本体，所述的晶片本体具有倒角，所述的倒角范围为45°±5°，倒角尺寸为0.15mm±0.05mm。本实用新型在研磨抛光加工过程不易出现塌边现象，且在研磨抛光过程中，磨料易运动到晶片表面，加工效率...

本实用新型涉及一种蓝宝石衬底退火炉，包括炉壳，所述的炉壳内壁除底部设置有加热体，炉壳内腔设置有装载晶片的工装，所述的工装同轴连接旋转装置，所述的旋转装置由炉壳内腔延伸至炉壳外部。本实用新型在保温阶段旋转晶片，使整个晶片退火均匀，消除退火...

本实用新型涉及一种晶棒的粘棒装置，包括基座、挡板、定位螺丝、导轨、连接杆、千分表和滑块，所述的挡板固定在所述的基座上，所述的定位螺丝安装在所述的挡板上，所述导轨固定在所述的基座上，所述的滑块安装于在所述的导轨上，所述的千分表通过连接杆与...

本发明涉及蓝宝石晶体的研磨工序，属于晶体材料的加工技术领域。本发明提供了一种用于高质量蓝宝石衬底的研磨液，该研磨液由金刚石微粉、辅助性研磨粉、去离子水、甘油和添加剂配置而成。利用此方法配置的研磨液分散均匀，化学稳定性好；采用此方法配置的...

本发明涉及蓝宝石衬底的退火工序，属于晶体材料的加工技术领域。本发明提供了一种用于高质量蓝宝石衬底的退火方法，在于切割、研磨或抛光后的蓝宝石晶片分阶段升温并且保温一段时间至900℃～1600℃，对蓝宝石晶片进行退火处理，以消除切割、研磨或...

本发明涉及一种蓝宝石衬底的清洗方法，蓝宝石外延衬底表面在经过除有机杂质、无机金属杂质清洗后，由于化学机械抛光(CMP)的原因，衬底表面品质差异较大，氧化层和亚表面损伤存在差异，蓝宝石衬底经常根据衬底表面清洗情况分级，且在做图形化(PSS...