一种蓝宝石晶片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种蓝宝石晶片，其背面粗糙度要求为0.6~0.8微米，采用该规格粗糙度的晶片在做图形化衬底（PSS）时，晶片和匀曝机的载台结合紧密，做PSS的成品率比较高，同时，该背粗的蓝宝石晶片易于清洗。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED照明应用领域，尤其是一种蓝宝石晶片。
技术介绍
LED照明产业技术发展的基石是衬底材料，目前常用于GaN异质外延衬底有蓝宝石A1203衬底、碳化硅SiC衬底以及Si衬底，除了美国Cree公司用SiC作为外延衬底和少数厂家用Si衬底外，绝大多数厂家均以蓝宝石为衬底，为了提高LED发光亮度，越来越多的厂家开始运用PSS技术，以前的蓝宝石衬底的背面粗糙度要求为I. O μ m±0. 2 μ m，这种背粗的蓝宝石晶片和制备PSS中的设备，尤其是匀曝机的载台结合不十分紧密，PSS制程的良率不高。·
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种蓝宝石衬底晶片，克服背面粗糙度偏大，蓝宝石晶片和PSS制程中的载台结合不紧密的缺点，提高制备PSS制程的良率。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种蓝宝石晶片，包括晶片本体，所述的晶片本体的背面粗糙度为O. 6^0. 8微米。本技术的有益效果是，解决了
技术介绍
中存在的缺陷，采用本技术的晶片在做图形化衬底(PSS)时，晶片和匀曝机的载台结合紧密，做PSS的成品率比较高，同时，该背粗的蓝宝石晶片易于清洗。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。图I是本技术的优选实施例的结构示意图；图中1、晶片本体；2、背面粗糙度。具体实施方式现在结合附图和优选实施例对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图I所示的一种蓝宝石晶片，包括晶片本体，所述的晶片本体的背面粗糙度为O. 7微米。加工时，选取蓝宝石衬底双面研磨片，在双面研磨机上，用280#，粒径52±4微米的B4C、SiC或金刚石研磨液进行研磨。以上说明书中描述的只是本技术的具体实施方式，各种举例说明不对本技术的实质内容构成限制，所属
的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离技术的实质和范围。权利要求1.一种蓝宝石晶片，包括晶片本体，其特征在于所述的晶片本体的背面粗糙度为O.6^0. 8 微米。专利摘要本技术涉及一种蓝宝石晶片，其背面粗糙度要求为0.6~0.8微米，采用该规格粗糙度的晶片在做图形化衬底(PSS)时，晶片和匀曝机的载台结合紧密，做PSS的成品率比较高，同时，该背粗的蓝宝石晶片易于清洗。文档编号C30B25/18GK202610394SQ20122020903公开日2012年12月19日 申请日期2012年5月11日 优先权日2012年5月11日专利技术者石剑舫 申请人:江苏鑫和泰光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝宝石晶片，包括晶片本体，其特征在于：所述的晶片本体的背面粗糙度为0.6~0.8微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石剑舫，
申请(专利权)人：江苏鑫和泰光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：