一种微桥结构红外探测器的制备方法和微桥结构技术

技术编号:8382953 阅读:203 留言:0更新日期:2013-03-06 23:53
本发明专利技术涉及一种微桥结构红外探测器的制备方法和微桥结构,该方法包括:在红外探测器读出电路基底上依次沉积金属反射层、牺牲层,并在牺牲层上刻蚀PI孔,PI孔位于读出电路引出电极上;在牺牲层上依次沉积支撑层、热敏层和保护层;在PI孔内制备通孔并在保护层上制备接触孔;在保护层上沉积电极层金属并在PI孔和通孔中填充桥墩结构的U型金属,并通过光刻和蚀刻的方法形成U型金属结构;在电极层金属上进行光刻和刻蚀;在器件表面沉积钝化层,并对该钝化层进行光刻和刻蚀形成钝化层图形;进行牺牲层释放,形成微桥结构。本发明专利技术采用U型填充方法,使用Al作为填充材料,易于溅射沉积,刻蚀方便,探测器的绝热性能优于铜填充工艺,且不需要CMP步骤。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微桥结构红外探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:在基底上沉积金属反射层,其中基底为红外探测器读出电路;步骤2:在所述金属反射层上制备牺牲层,并在所述牺牲层上刻蚀PI孔,所述PI孔位于所述读出电路的引出电极之上;步骤3:在所述牺牲层上依次沉积支撑层、热敏层和保护层;步骤4:在所述PI孔内制备通孔,并在热敏层上方的保护层上制备接触孔;步骤5:在所述保护层上沉积电极层金属,并在所述PI孔和通孔中填充U型金属,并通过光刻和蚀刻的方法形成U型金属结构;步骤6:在所述电极层金属上进行电极层的光刻和刻蚀;步骤7:在步骤6完成的器件表面沉积钝化层,并对该钝化层进行光刻和刻蚀形成钝化层图形;步骤8:进行牺牲层的释放,形成微桥结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:邹渊渊甘先锋杨水长孙瑞山张连鹏
申请(专利权)人:烟台睿创微纳技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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