一种制造密封结构的方法技术

一种在用于制造密封结构的硅－绝缘体复合晶片内提供密封的方法，包括步骤：图案化第一硅晶片，以使该第一硅晶片具有至少部分地延伸穿过该第一硅晶片的一个或多个凹槽；利用绝缘体材料填充所述凹槽，该绝缘体材料能够被阳极键合到硅，以形成具有多个硅－绝缘体界面和由绝缘体材料组成的第一接触表面的第一复合晶片；以及在该第一接触表面以及与其相对的第二接触表面上利用阳极键合技术，以在硅－绝缘体界面间产生密封，其中，该第二接触表面由硅组成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐蒙德·基特尔斯兰德，丹尼尔·勒珀达图，西塞尔·雅各布森，特朗德·维斯特高，
申请(专利权)人：森松诺尔有限公司，
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