采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法技术

本发明专利技术涉及一种采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法。本方法在基底的正面利用反应离子刻蚀法形成用于制作空腔的槽，槽的深度决定了空腔上方基底的厚度，然后在基底的表面和槽的侧壁与底部淀积阻挡层，选择性的去除基底的表面和槽底部的阻挡层，在槽的侧壁形成侧壁保护层，以侧壁保护层为掩模，继续刻蚀槽，形成深槽。采用湿法腐蚀法腐蚀深槽，在基底的内部形成腔体；然后于正面特定区域内制造含金属的加热装置和测温装置，随后沉积保护层。如此可以高效率低成本的获得加热装置和测温装置所处特定区域下方厚度可控的硅基底腔体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微机电系统(MEMS)制造
，具体来说，本专利技术涉及一种。
技术介绍
在某些与温度相关半导体传感器的结构中，有时需要在传感器处于一个厚度较薄的悬空膜上，悬空膜的厚度较薄，在封装后，传感器下方的衬底不与封装的基座直接接触， 而是悬空与空气或者真空接触，达到降低外界环境温度干扰的目的。从上述传感器的应用方面来说，传感器的精度与器件下方衬底材料的厚度紧密相关。为了实现较高的测温精度和较短的响应时间，需要使悬空上方的膜厚度较薄，达到降低器件纵向热传导；当然另一方面也需要考虑较薄基底对器件的支撑作用，厚度越厚，传感器结构越牢固，因此最终需要综合考虑上述几方面的因素，选定合适的表层薄膜厚度。对于半导体工艺来说，当前绝大多数传感器的工艺都需要背面的工艺，这些工艺是当前的主流，然而却与常规的半导体工艺不兼容，因此需要采用定制化特点的传感器加工生产线，增加了生产成本。而且通过背面腐蚀工艺获得精确的表层硅厚度的难度也很高。 在尺寸较大、批次较多的半导体工厂里面加工的时候，片中器件的均匀性、片间器件的可重复性问题就更加显露。采用本专利技术的制作方法，能够很好地解决上述的问题，制造出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法，其特征在于：制造工艺步骤如下：1）取一硅衬底（001），该硅衬底（001）上方有覆盖一层隔离层（100）；采用干法刻蚀法在所述硅衬底中形成用于制作空腔的槽；2）在所述硅衬底（001）的表面和所述槽（002）的侧壁与底部淀积阻挡层；3）去除所述硅衬底（001）的表面和所述槽（002）的底部的阻挡层，在所述槽（002）的侧壁形成侧壁保护层（008）；4）以所述侧壁保护层（008）为掩模，继续刻蚀所述槽（002），形成深槽（102）；5）采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽（102），在所述硅衬底（001）的内部形成腔体（010）；6）在所述槽（002）的侧壁保护层（...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛维佳，席韡，陈晨，王林军，闵嘉华，史伟民，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：