探测结构的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
探测结构的制造方法
本专利技术属于半导体
，具体地说，涉及一种探测结构的制造方法。
技术介绍
微电子机械系统(MicroElectroMechanicalSystems，MEMS)技术具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点，故其已广泛应用在包括红外探测
的诸多领域。红外探测装置是红外探测
中一种具体的微电子机械系统MEMS产品，其利用敏感材料探测层如非晶硅或氧化钒吸收红外线，从而引起其电阻的变化，据此来实现热成像功能。据此，红外探测装置可以广泛应用于电力网络的安全检测、森林火警的探测以及人体温度的探测等其他场所。现有技术中，在制造红外探测装置时，先通过化学气相沉积工艺(CVD)依次在硅衬底上沉积牺牲层、释放保护层、支撑层，以及敏感材料层，接着在该敏感材料层上沉积金属层，然后利用光刻胶光刻出金属电极图形，再通过湿法或者干法刻蚀工艺将敏感材料探测层上没有光刻胶保护的金属层去除并形成金属电极；通过释放工艺去除牺牲层以形成在硅衬底之上形成半悬空的微桥结构，该微桥结构包括支撑层，在具体制作时，可以采用两层结构分别作为释放保护层和支撑...
【技术保护点】
一种探测结构的制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成第一牺牲层，并在所述第一牺牲层上形成第一释放保护层；在所述第一释放保护层上形成电极层，所述电极层包括第一电极和第二电极；在所述电极层上形成第二牺牲层，使第一电极和第二电极嵌在其中，并图形化所述第二牺牲层以去除第一电极和第二电极上的所述第二牺牲层；在所述电极层和所述第二牺牲层之上形成热敏感层，所述热敏感层分别与所述第一电极和第二电极形成电连接，以将光信号转换得到的电信号输出到外围电路；在所述热敏感层之上形成第二释放保护层，并去除所述第一牺牲层，以形成微桥结构。
【技术特征摘要】
1.一种探测结构的制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成第一牺牲层，并在所述第一牺牲层上形成第一释放保护层；在所述第一释放保护层上形成电极层，所述电极层包括第一电极和第二电极；在所述电极层上形成第二牺牲层，使第一电极和第二电极嵌在其中，并图形化所述第二牺牲层以去除第一电极和第二电极上的所述第二牺牲层；在所述电极层和所述第二牺牲层之上形成热敏感层；在所述热敏感层上形成介质层；在所述介质层上形成第二释放保护层，并去除所述第一牺牲层，以形成微桥结构；其中，所述热敏感层分别与所述第一电极和第二电极形成电连接，以将光信号转换得到的电信号输出到外围电路。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电极层上形成第二牺牲层，使第一电极和第二电极嵌在其中，并图形化所述第二牺牲层以去除第一电极和第二电极上的所述第二牺牲层，包括：去除所述电极层中第一电极和第二电极上的氧化物；在去除了氧化物的所述电极层上形成第二牺牲层，使第一电极和第二电极嵌在其中，并图形化所述第二牺牲层以去除第一电极和第二电极上的所述第二牺牲层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电极层上形成第二牺牲层，使第一电极和第二电极嵌在其中，图形化所述第二牺牲层以去除第一电极和第二电极上的所述第二牺牲层，包括：通过使用刻蚀气体刻蚀实现所述第二牺牲层的图形化。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，利用基于F或Cl气氛的离子干法刻蚀工艺，通过使用刻蚀气体刻蚀实现所述第二牺牲层的图形化。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电极层和所述第二释放保护层的刻蚀选择比大于5:1。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热敏感层与所述第二释放保护层的刻蚀选择比大于5:1。7.根据权利要求3或6所述的方法，其特征在于，刻蚀气体为氩气、氮气、三氟甲烷、四氟化碳、三氟甲烷、八氟异丁烯、三氯化硼或氯气。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述探测结构的第一释放保护层和第二释放保护层之间形成功能辅助层。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述功能辅助层包括支撑层、应力平衡层、红外吸收层中的任意一层或多层的组合。10.一种红外探测装置，其特征在于，包括：设置在一硅衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，左青云，袁超，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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